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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFJ26N50P3
  仓库库存编号：IXFJ26N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR BST FLYBK 14-TSSOP
  详细描述：Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 700kHz 14-TSSOP
  
  型号：UCC25701PWG4
  仓库库存编号：UCC25701PWG4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT30N60P
  仓库库存编号：IXFT30N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ69N30P
  仓库库存编号：IXTQ69N30P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW73N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW73N60E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 300W TO268
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT30N120B3D1
  仓库库存编号：IXGT30N120B3D1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW33N60E-GE3-ND
  别名：SIHW33N60E-GE3CT
  SIHW33N60E-GE3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH099N60E
  仓库库存编号：FCH099N60E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1000V 30A 150W TO263AA
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA15N100C
  仓库库存编号：IXGA15N100C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 64A 250W TO247
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT30GT60BRG
  仓库库存编号：APT30GT60BRG-ND
  别名：APT30GT60BRGMI
  APT30GT60BRGMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 380W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH60N60C3D1
  仓库库存编号：IXGH60N60C3D1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
  详细描述：IGBT NPT Surface Mount TO-263
  
  型号：IXDA20N120AS-TUBE
  仓库库存编号：IXDA20N120AS-TUBE-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting
  
  型号：LTC7004MPMSE#TRPBF
  仓库库存编号：LTC7004MPMSE#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658404
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658410
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT9F100B
  仓库库存编号：APT9F100B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 40A 190W TO268
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT20N120B
  仓库库存编号：IXGT20N120B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 90A 500W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH40N90C3D1
  仓库库存编号：IXYH40N90C3D1-ND
  别名：Q7763666
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N50P
  仓库库存编号：IXTT30N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT26N60P
  仓库库存编号：IXTT26N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 60A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247AD (IXDH)
  
  型号：IXDH35N60BD1
  仓库库存编号：IXDH35N60BD1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 900V 75A 400W TO268
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT50N90B2
  仓库库存编号：IXGT50N90B2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 78A 337W TO-247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT44GA60B
  仓库库存编号：APT44GA60B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  详细描述：IGBT NPT Through Hole T-MAX? [B2]
  
  型号：APT45GR65B2DU30
  仓库库存编号：APT45GR65B2DU30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 164W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001647042
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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