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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号：
MJE802G
仓库库存编号：
MJE802GOS-ND
别名：MJE802GOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号：
MJE700G
仓库库存编号：
MJE700GOS-ND
别名：MJE700GOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
IC BRIDGE RECT 3A 1000V D3K
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole D3K
型号：
UD3KB100-BP
仓库库存编号：
UD3KB100-BPMS-ND
别名：UD3KB100
UD3KB100-BPMS
UD3KB100MS
UD3KB100MS-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR418DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR418DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR418DP-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 3.1W（Ta），43W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8647L
仓库库存编号：
FDD8647LCT-ND
别名：FDD8647LCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7456TRPBF
仓库库存编号：
IRF7456PBFCT-ND
别名：*IRF7456TRPBF
IRF7456PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
型号：
MMSF3P02HDR2G
仓库库存编号：
MMSF3P02HDR2GOSCT-ND
别名：MMSF3P02HDR2GOSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD04N50C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD04N50C3ATMA1CT-ND
别名：SPD04N50C3ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 30V 7A D-PAK
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 7A 100MHz 4.2W Surface Mount TO-252-3
型号：
ZXT849KTC
仓库库存编号：
ZXT849KCT-ND
别名：ZXT849KCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 800V 4DIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Through Hole DFM
型号：
DF08M-E3/45
仓库库存编号：
DF08M-E3/45GI-ND
别名：DF08M-E3/45-ND
DF08M-E3/45GI
DF08ME345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 1000V 4DIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DFM
型号：
DF10M-E3/45
仓库库存编号：
DF10M-E3/45GI-ND
别名：DF10M-E3/45-ND
DF10M-E3/45GI
DF10ME345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 50V DIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Through Hole DFM
型号：
DF005M-E3/45
仓库库存编号：
DF005M-E3/45GI-ND
别名：DF005M-E3/45-ND
DF005M-E3/45GI
DF005ME345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0104N3-G
仓库库存编号：
VN0104N3-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
FCD600N60Z
仓库库存编号：
FCD600N60ZCT-ND
别名：FCD600N60ZCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5908DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5908DC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5908DC-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECTIFIER BRIDGE 1A 200V DB-1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DB-1
型号：
DB103-BP
仓库库存编号：
DB103-BPMS-ND
别名：DB103-BPMS
DB103BP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 175mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92（TO-226）
型号：
DN2530N3-G
仓库库存编号：
DN2530N3-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECTIFIER BRIDGE 1A 50V DB-1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Through Hole DB-1
型号：
DB101-BP
仓库库存编号：
DB101-BPMS-ND
别名：DB101-BPMS
DB101BP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.6A（Ta），44A（Tc） 69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC190N12NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC190N12NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GCT-ND
BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
型号：
FCD5N60TM
仓库库存编号：
FCD5N60TMCT-ND
别名：FCD5N60TMCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
TRANS NPN 40V 1A TO-220
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 3MHz 30W Through Hole TO-220
型号：
TIP29-BP
仓库库存编号：
TIP29-BP-ND
别名：TIP29BP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
NDS8425
仓库库存编号：
NDS8425FSCT-ND
别名：NDS8425FSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDM3622
仓库库存编号：
FDM3622CT-ND
别名：FDM3622CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7114DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7114DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7114DN-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
型号：
ZXMP6A17DN8TA
仓库库存编号：
ZXMP6A17DN8CT-ND
别名：ZXMP6A17DN8CT
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