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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ30N50P
仓库库存编号：
IXTQ30N50P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ26N60P
仓库库存编号：
IXTQ26N60P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV16N80P
仓库库存编号：
IXFV16N80P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 3A DL 24TSSOP
详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 2 输出 3A 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
型号：
LTC3615IFE-1#PBF
仓库库存编号：
LTC3615IFE-1#PBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXFT14N80P
仓库库存编号：
IXFT14N80P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
1200V 40A FS2 TRENCH IGBT
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-264
型号：
FGL12040WD
仓库库存编号：
FGL12040WD-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO268
详细描述：IGBT Surface Mount TO-268
型号：
IXGT24N60C
仓库库存编号：
IXGT24N60C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 78W（Tc） D2PAK-7
型号：
C2M1000170J-TR
仓库库存编号：
C2M1000170J-TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI60R125CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI60R125CPXKSA1-ND
别名：IPI60R125CP
IPI60R125CP-ND
SP000297355
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR FLYBACK 10MSOP
详细描述：Flyback Regulator Positive, Isolation Capable Output Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 10-MSOP-EP
型号：
LTC3805MPMSE#TRPBF
仓库库存编号：
LTC3805MPMSE#TRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Linear Technology
IC REG CTRLR MULT TOP 10MSOP
详细描述：Boost, Flyback, SEPIC Regulator Positive, Isolation Capable Output Step-Up, Step-Up/Step-Down DC-DC Controller IC 10-MSOP-EP
型号：
LTC3805MPMSE-5#TRPBF
仓库库存编号：
LTC3805MPMSE-5#TRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 20A 110W TO247
详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH10N170
仓库库存编号：
IXGH10N170-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 220W TO247
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH30N60C3D1
仓库库存编号：
IXGH30N60C3D1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 66A 190W TO247AD
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH28N60B3D1
仓库库存编号：
IXGH28N60B3D1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 53A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
型号：
AOK53S60L
仓库库存编号：
AOK53S60L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
型号：
AOK53S60
仓库库存编号：
AOK53S60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP100A
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP100A-ND
别名：1086-7504
1086-7504-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP10A
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP10A-ND
别名：1086-7508
1086-7508-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP110A
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP110A-ND
别名：1086-7512
1086-7512-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 18.2VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP11A
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP11A-ND
别名：1086-7516
1086-7516-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP120A
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP120A-ND
别名：1086-7520
1086-7520-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19.9VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP12A
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP12A-ND
别名：1086-7524
1086-7524-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 130VWM 209VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP130A
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP130A-ND
别名：1086-7528
1086-7528-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 13VWM 21.5VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP13A
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP13A-ND
别名：1086-7532
1086-7532-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 14VWM 23.2VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP14A
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP14A-ND
别名：1086-7536
1086-7536-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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