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Microsemi Corporation
TVS DIODE 60VWM 96.8VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP60CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP60CAE3-ND
别名：1086-7631
1086-7631-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 64VWM 103VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP64CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP64CAE3-ND
别名：1086-7635
1086-7635-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 70VWM 113VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP70CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP70CAE3-ND
别名：1086-7639
1086-7639-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 75VWM 121VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP75CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP75CAE3-ND
别名：1086-7643
1086-7643-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 78VWM 126VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP78CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP78CAE3-ND
别名：1086-7647
1086-7647-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP85CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP85CAE3-ND
别名：1086-7651
1086-7651-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 90VWM 146VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP90CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP90CAE3-ND
别名：1086-7655
1086-7655-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 250W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH36N60B3D4
仓库库存编号：
IXGH36N60B3D4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ82N25P
仓库库存编号：
IXTQ82N25P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 250W TO247AD
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH36N60B3D1
仓库库存编号：
IXGH36N60B3D1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV96N25T
仓库库存编号：
IXTV96N25T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-263AA
型号：
IXFA18N60X
仓库库存编号：
IXFA18N60X-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC HIGH CURRENT FET DRVR TO220-5
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting TO-220-5
型号：
UC3710TG3
仓库库存编号：
UC3710TG3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 64A 300W TO268
详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-268
型号：
IXGT32N90B2
仓库库存编号：
IXGT32N90B2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 3A DL SYNC 24QFN
详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 2 输出 3A 24-WFQFN 裸露焊盘
型号：
LTC3615IUF#TRPBF
仓库库存编号：
LTC3615IUF#TRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 3A DL SYNC 24QFN
详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 2 输出 3A 24-WFQFN 裸露焊盘
型号：
LTC3615IUF-1#TRPBF
仓库库存编号：
LTC3615IUF-1#TRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK BOOST ADJ 2.5A 16DFN
详细描述：可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 2.5A 16-WFDFN 裸露焊盘
型号：
LTC3112HDHD#TRPBF
仓库库存编号：
LTC3112HDHD#TRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 64A 300W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH32N90B2D1
仓库库存编号：
IXGH32N90B2D1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 42A 184W TO247
详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT15GT60BRG
仓库库存编号：
APT15GT60BRG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A 250W TO3P
详细描述：IGBT Through Hole TO-3P
型号：
IXGQ28N120BD1
仓库库存编号：
IXGQ28N120BD1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT50P085
仓库库存编号：
IXTT50P085-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT26N50P
仓库库存编号：
IXTT26N50P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 463W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N100P
仓库库存编号：
IXFH12N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS
IGBT 1200V 40A 150W TO220
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号：
IXGP20N120
仓库库存编号：
IXGP20N120-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 30A 150W TO220AB
详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
型号：
IXGP15N100C
仓库库存编号：
IXGP15N100C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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