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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT52N30P
仓库库存编号：
IXTT52N30P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT64N25P
仓库库存编号：
IXTT64N25P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IC TRANS NPN 80V 8A DPAK-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 85MHz Surface Mount DPAK
型号：
NJVMJD44H11D3T4G
仓库库存编号：
NJVMJD44H11D3T4G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IC TRANS PNP 80V 8A DPAK-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 90MHz Surface Mount DPAK
型号：
NJVMJD45H11D3T4G
仓库库存编号：
NJVMJD45H11D3T4G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 460W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH100N30C3
仓库库存编号：
IXGH100N30C3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP18N60X
仓库库存编号：
IXFP18N60X-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50P
仓库库存编号：
IXTH30N50P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH26N60P
仓库库存编号：
IXTH26N60P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N80P
仓库库存编号：
IXFH16N80P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247
型号：
IXFH30N60X
仓库库存编号：
IXFH30N60X-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 3A DL SYNC 24QFN
详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 2 输出 3A 24-WFQFN 裸露焊盘
型号：
LTC3615IUF-1#PBF
仓库库存编号：
LTC3615IUF-1#PBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK BST ADJ 2.5A 20TSSOP
详细描述：可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 2.5A 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
型号：
LTC3112IFE#TRPBF
仓库库存编号：
LTC3112IFE#TRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO220
详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
型号：
IXGP20N120B
仓库库存编号：
IXGP20N120B-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD
详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号：
IXBH5N160G
仓库库存编号：
IXBH5N160G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC REG CTRLR PWM CM/VM 20TSSOP
详细描述：Converter Offline Full-Bridge Topology 1MHz 20-TSSOP
型号：
UCC3895PWG4
仓库库存编号：
UCC3895PWG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 250W TO220AB
详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-220AB
型号：
IXDP35N60B
仓库库存编号：
IXDP35N60B-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH2R4N120P
仓库库存编号：
IXTH2R4N120P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 275W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH48N20
仓库库存编号：
IXTH48N20-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC REG CTRLR PWM VM 14-SOIC
详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 700kHz 14-SOIC
型号：
UCC35701DG4
仓库库存编号：
UCC35701DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 100VWM 162VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP100CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP100CAE3-ND
别名：1086-7507
1086-7507-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 10VWM 17VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP10CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP10CAE3-ND
别名：1086-7511
1086-7511-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP110CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP110CAE3-ND
别名：1086-7515
1086-7515-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 11VWM 18.2VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP11CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP11CAE3-ND
别名：1086-7519
1086-7519-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 120VWM 193VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP120CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP120CAE3-ND
别名：1086-7523
1086-7523-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19.9VC PLAD
型号：
MPLAD6.5KP12CAE3
仓库库存编号：
MPLAD6.5KP12CAE3-ND
别名：1086-7527
1086-7527-MIL
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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