规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 75VWM 14SOIC
型号:
MMAD130/TR13
仓库库存编号:
MMAD130/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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IXYS
IGBT 1000V 8A 40W TO263AA
详细描述:IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA4N100
仓库库存编号:
IXGA4N100-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH52N30P
仓库库存编号:
IXFH52N30P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ20N120BD1
仓库库存编号:
IXGQ20N120BD1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT18F60B
仓库库存编号:
APT18F60B-ND
别名:APT18F60BMI
APT18F60BMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 415W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT23F60B
仓库库存编号:
APT23F60B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC15N60C5
仓库库存编号:
IXKC15N60C5-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 48A 250W TO263
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA24N120C3
仓库库存编号:
IXGA24N120C3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP15N120B
仓库库存编号:
IXGP15N120B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N80P
仓库库存编号:
IXFH14N80P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 330W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH16N50P3
仓库库存编号:
IXFH16N50P3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 56A 250W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GP60BDQ1G
仓库库存编号:
APT15GP60BDQ1G-ND
别名:APT15GP60BDQ1GMP
APT15GP60BDQ1GMP-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 140A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 140A(Tc) 298W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA140P05T
仓库库存编号:
IXTA140P05T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 347W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA16N60P3
仓库库存编号:
IXFA16N60P3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 298W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH120P065T
仓库库存编号:
IXTH120P065T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 150A 452W TO247
详细描述:IGBT Field Stop Through Hole TO-247
型号:
FGH75N60SFTU
仓库库存编号:
FGH75N60SFTU-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 250mW(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
SIHS20N50C-E3
仓库库存编号:
SIHS20N50C-E3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1300V 63A 250W TO247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247 Long Leads
型号:
STGW38IH130D
仓库库存编号:
497-10001-5-ND
别名:497-10001-5
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 32A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP32P20T
仓库库存编号:
IXTP32P20T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 117W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099P7XKSA1-ND
别名:SP001647038
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH22N60P
仓库库存编号:
IXFH22N60P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK BOOST ADJ 2.5A 16DFN
详细描述:可调式 降压升压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 2.5A 16-WFDFN 裸露焊盘
型号:
LTC3112IDHD#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3112IDHD#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH24N60C5
仓库库存编号:
IXKH24N60C5-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 380W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH60N60C3
仓库库存编号:
IXGH60N60C3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 6A SYNC 24QFN
详细描述:可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 6A 24-WFQFN 裸露焊盘
型号:
LTC3616IUDD#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3616IUDD#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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