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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：MJE800G
  仓库库存编号：MJE800GOS-ND
  别名：MJE800GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR DUAL 4A 8-MLP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-MLP (3x3)
  
  型号：FAN3224TMPX
  仓库库存编号：FAN3224TMPXCT-ND
  别名：FAN3224TMPXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7635DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7635DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7635DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DRIVER DUAL 4A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN3214TMX
  仓库库存编号：FAN3214TMXCT-ND
  别名：FAN3214TMXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP 100V 2A SM8
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 100V 2A 175MHz, 140MHz 2.75W Surface Mount SM8
  
  型号：ZDT6753TA
  仓库库存编号：ZDT6753CT-ND
  别名：ZDT6753CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6673BZ
  仓库库存编号：FDS6673BZCT-ND
  别名：FDS6673BZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC109N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC109N10NS3 GCT
  BSC109N10NS3 GCT-ND
  BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD140G
  仓库库存编号：BD140GOS-ND
  别名：BD140GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4884BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4884BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4884BDY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7820DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7820DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7820DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO-214AB
  
  型号：4.0SMDJ24A
  仓库库存编号：F6499CT-ND
  别名：F6499CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6898A
  仓库库存编号：FDS6898ACT-ND
  别名：FDS6898ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8453LZ
  仓库库存编号：FDD8453LZCT-ND
  别名：FDD8453LZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7470TRPBF
  仓库库存编号：IRF7470PBFCT-ND
  别名：*IRF7470TRPBF
  IRF7470PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16413Q5A
  仓库库存编号：296-24524-1-ND
  别名：296-24524-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TVS DIODE 16VWM 26VC SMC
  
  型号：SMCJ16A-13-F
  仓库库存编号：SMCJ16A-FDICT-ND
  别名：SMCJ16A-FDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR468DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR468DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR468DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS468DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS468DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS468DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），18A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS4435BZ
  仓库库存编号：FDMS4435BZCT-ND
  别名：FDMS4435BZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC3A17DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC3A17DN8CT-ND
  别名：ZXMC3A17DN8CT
  ZXMC3A17DN8TA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3545N8-G
  仓库库存编号：DN3545N8-GCT-ND
  别名：DN3545N8-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC027N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC027N04LS GCT
  BSC027N04LS GCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9945
  仓库库存编号：NDS9945CT-ND
  别名：NDS9945CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），60A（Tc） 66W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD18543Q3AT
  仓库库存编号：296-45302-1-ND
  别名：296-45302-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4164DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4164DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4164DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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