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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 50A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC5010W
  仓库库存编号：GBPC5010W-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 120A 417W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247
  
  型号：AOK60B60D1
  仓库库存编号：785-1625-5-ND
  别名：785-1625-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 12.6A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N80_F109
  仓库库存编号：FQA13N80_F109FS-ND
  别名：FQA13N80_F109-ND
  FQA13N80_F109FS
  FQA13N80F109
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/Micross Components
  DIE MOSFET N-CH 50V LL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS138
  仓库库存编号：BSS138-DIE-ND
  别名：BSS138-DIE
  BSS138-ND
  FCBSS138
  FCBSS138-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/Micross Components
  DIE TRANS P-CH SMALL SIGNAL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS84
  仓库库存编号：BSS84-DIE-ND
  别名：BSS84-DIE
  BSS84-ND
  FCBSS84
  FCBSS84-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001632934
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHG24N65E-E3-ND
  别名：SIHG24N65EE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB33N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60ET5-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH22N50P
  仓库库存编号：IXTH22N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM VM 16SOIC
  详细描述：Converter Offline Flyback, Forward Topology 16-SOIC
  
  型号：UCC3580D-2G4
  仓库库存编号：UCC3580D-2G4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 20TSSOP
  详细描述：可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 3A 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3612EFE#TRPBF
  仓库库存编号：LTC3612EFE#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB33N60ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60ET1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 300V 75A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH60N30C3
  仓库库存编号：IXGH60N30C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 60A 220W TO263
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA30N60C3D4
  仓库库存编号：IXGA30N60C3D4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 50A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB50N60SWG
  仓库库存编号：NGTB50N60SWG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP24N60X
  仓库库存编号：IXFP24N60X-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG SWITCHD CAP INV 12MSOP
  详细描述：固定 充电泵 开关稳压器 IC 正或负 -Vin, Vin/2 1 输出 100mA 12-TSSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3261IMSE#TRPBF
  仓库库存编号：LTC3261IMSE#TRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP02N50D
  仓库库存编号：IXTP02N50D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 38A 200W TO263AB
  详细描述：IGBT NPT Surface Mount TO-263
  
  型号：IXDA20N120AS
  仓库库存编号：IXDA20N120AS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH16P20
  仓库库存编号：IXTH16P20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH36P10
  仓库库存编号：IXTH36P10-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP7N100P
  仓库库存编号：IXFP7N100P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220 隔离的标片
  
  型号：IXTP18N60PM
  仓库库存编号：IXTP18N60PM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 36A 180W TO263
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA20N120B3
  仓库库存编号：IXGA20N120B3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ76N25T
  仓库库存编号：IXTQ76N25T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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