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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB24N65ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB24N65ET1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB24N65ET5-GE3
仓库库存编号：
SIHB24N65ET5-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
ON Semiconductor
IGBT 600V 45A TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号：
NGTB45N60SWG
仓库库存编号：
NGTB45N60SWG-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SO
型号：
SMDB03C/TR7
仓库库存编号：
SMDB03C/TR7TR-ND
别名：SMDB03C
SMDB03C/TR7TR
SMDB03CMSTR
SMDB03CMSTR-ND
SMDB03CTR7
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 43VC 8SO
型号：
SMDB24C/TR7
仓库库存编号：
SMDB24C/TR7TR-ND
别名：SMDB24C
SMDB24C/TR7TR
SMDB24CMSTR
SMDB24CMSTR-ND
SMDB24CTR7
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
IGBT 600V 220W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH36N60A3
仓库库存编号：
IXGH36N60A3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 92A 250W TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH36N60B3
仓库库存编号：
IXGH36N60B3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH3N100P
仓库库存编号：
IXTH3N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 220W TO247AD
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH30N60C3
仓库库存编号：
IXGH30N60C3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） TO-220ABFP
型号：
IXKP20N60C5M
仓库库存编号：
IXKP20N60C5M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ50N25T
仓库库存编号：
IXTQ50N25T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840LC
仓库库存编号：
IRF840LC-ND
别名：*IRF840LC
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 50A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC50005T
仓库库存编号：
GBPC50005TGN-ND
别名：GBPC50005T/WGN
GBPC50005T/WGN-ND
GBPC50005TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 50A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC5010T
仓库库存编号：
GBPC5010TGN-ND
别名：GBPC50010T
GBPC50010T/WGN
GBPC50010T/WGN-ND
GBPC50010TGN-ND
GBPC50010TW
GBPC5010TGN
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 50A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC5001T
仓库库存编号：
GBPC5001TGN-ND
别名：GBPC5001T/WGN
GBPC5001T/WGN-ND
GBPC5001TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 50A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC5002T
仓库库存编号：
GBPC5002TGN-ND
别名：GBPC5002T/WGN
GBPC5002T/WGN-ND
GBPC5002TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 50A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC5004T
仓库库存编号：
GBPC5004TGN-ND
别名：GBPC5004T/WGN
GBPC5004T/WGN-ND
GBPC5004TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 50A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC5006T
仓库库存编号：
GBPC5006TGN-ND
别名：GBPC5006T/WGN
GBPC5006T/WGN-ND
GBPC5006TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 50A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC5008T
仓库库存编号：
GBPC5008TGN-ND
别名：GBPC5008T/WGN
GBPC5008T/WGN-ND
GBPC5008TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 50A GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 50A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC50005W
仓库库存编号：
GBPC50005W-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 50A GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC5001W
仓库库存编号：
GBPC5001W-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 50A GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC5002W
仓库库存编号：
GBPC5002W-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 50A GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC5004W
仓库库存编号：
GBPC5004W-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 50A GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC5006W
仓库库存编号：
GBPC5006W-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 50A GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 50A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC5008W
仓库库存编号：
GBPC5008W-ND
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