规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 16SOIC
型号:
SM16LC12CE3/TR13
仓库库存编号:
SM16LC12CE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC 16SOIC
型号:
SM16LC24CE3/TR13
仓库库存编号:
SM16LC24CE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 9.5A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP344
仓库库存编号:
IRFP344-ND
别名:*IRFP344
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 15A,
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
型号:
TS15PL05GHC2G
仓库库存编号:
TS15PL05GHC2G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 15A,
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole TS-6P
型号:
TS15PL05GHD2G
仓库库存编号:
TS15PL05GHD2G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 15A,
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole TS-6P
型号:
TS15PL06GHC2G
仓库库存编号:
TS15PL06GHC2G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 15A,
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole TS-6P
型号:
TS15PL06GHD2G
仓库库存编号:
TS15PL06GHD2G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ18N60P
仓库库存编号:
IXTQ18N60P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
500V POLAR2 HIPERFETS
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N50P2
仓库库存编号:
IXFQ24N50P2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
不适用
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IXYS
IGBT 600V 32A 140W TO220AB
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-220AB
型号:
IXDP20N60B
仓库库存编号:
IXDP20N60B-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 54W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1N100
仓库库存编号:
IXTA1N100-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
FCP16N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 134.4W(Tc) TO-220F
型号:
FCP16N60N_F102
仓库库存编号:
FCP16N60N_F102-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 84W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW80R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW80R360P7XKSA1-ND
别名:SP001633520
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP10N80P
仓库库存编号:
IXFP10N80P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 40A 100W TO3PF
详细描述:IGBT Through Hole TO-3PF
型号:
FGAF40N60UFDTU
仓库库存编号:
FGAF40N60UFDTU-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH460P2
仓库库存编号:
IXTH460P2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP26N50P3
仓库库存编号:
IXFP26N50P3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 120A 300W TO263AA
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA48N60A3
仓库库存编号:
IXGA48N60A3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R120P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R120P7XKSA1-ND
别名:SP001658376
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 95W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R120P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R120P7XKSA1-ND
别名:SP001647028
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Linear Technology
IC REG BUCK ADJ 3A SYNC 20QFN
详细描述:可调式 降压 开关稳压器 IC 正 0.6V 1 输出 3A 20-WFQFN 裸露焊盘
型号:
LTC3612EUDC#TRPBF
仓库库存编号:
LTC3612EUDC#TRPBF-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 29A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
AOK29S50L
仓库库存编号:
785-1445-5-ND
别名:785-1445-5
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ12N80P
仓库库存编号:
IXFQ12N80P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 460W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA76N25T
仓库库存编号:
IXTA76N25T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 220W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH36N60A3D4
仓库库存编号:
IXGH36N60A3D4-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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