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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM/VM 20TSSOP
  详细描述：Converter Offline Full-Bridge Topology 1MHz 20-TSSOP
  
  型号：UCC3895PWTRG4
  仓库库存编号：UCC3895PWTRG4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 11.4A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA11N90_F109
  仓库库存编号：FQA11N90_F109-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 300W TO220AB
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP48N60C3
  仓库库存编号：IXGP48N60C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP5N100P
  仓库库存编号：IXFP5N100P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 60A 220W TO220AB
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP30N60C3D4
  仓库库存编号：IXGP30N60C3D4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 25A 1000V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC2510(UM)E4/51
  仓库库存编号：GBPC2510(UM)E4/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R4N120P
  仓库库存编号：IXTP1R4N120P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1000V 24A 100W TO263AA
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA12N100
  仓库库存编号：IXGA12N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 50A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 400W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA50N25T
  仓库库存编号：IXTA50N25T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 500V
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHFB20N50K-E3
  仓库库存编号：SIHFB20N50K-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1000V 50A 156W TO3P
  详细描述：IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3P
  
  型号：FGA50N100BNTDTU
  仓库库存编号：FGA50N100BNTDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 35A 50V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC35005W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC35005W-E4/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 35A 100V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3501W-E4/51
  仓库库存编号：GBPC3501W-E4/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N100
  仓库库存编号：IXTP2N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR BST FLYBK PWM 8SOIC
  详细描述：Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC
  
  型号：UCC2807D-2G4
  仓库库存编号：UCC2807D-2G4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 380W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N50P3
  仓库库存编号：IXFH20N50P3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 22A 100W TO263
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA12N120A3
  仓库库存编号：IXGA12N120A3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 22A 100W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH12N120A3
  仓库库存编号：IXGH12N120A3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2N80
  仓库库存编号：IXTA2N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  SUPERFET2 150 MOHM 650V FRFET TO
  详细描述：通孔 N 沟道 14.9A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF150N65F
  仓库库存编号：FCPF150N65F-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG32N50D-E3
  仓库库存编号：SIHG32N50D-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1200V 80A 455W TO264
  详细描述：IGBT NPT and Trench Through Hole TO-264
  
  型号：GPA040A120L-ND
  仓库库存编号：1560-1223-5-ND
  别名：1560-1223-1
  1560-1223-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI830G
  仓库库存编号：IRFI830G-ND
  别名：*IRFI830G
  Q932707
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR ISO PWM 20-SOIC
  详细描述：Converter Offline Full-Bridge Topology 1MHz 20-SOIC
  
  型号：UCC2895DWTRG4
  仓库库存编号：UCC2895DWTRG4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2N100
  仓库库存编号：IXTA2N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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