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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA16N50P
仓库库存编号：
IXFA16N50P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA14N60P
仓库库存编号：
IXFA14N60P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE876DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE876DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE876DF-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号：
SMDB03C/TR13
仓库库存编号：
SMDB03C/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号：
SMDB05C/TR13
仓库库存编号：
SMDB05C/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19VC 8SOIC
型号：
SMDB12C/TR13
仓库库存编号：
SMDB12C/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 24VC 8SOIC
型号：
SMDB15C/TR13
仓库库存编号：
SMDB15C/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 43VC 8SOIC
型号：
SMDB24C/TR13
仓库库存编号：
SMDB24C/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 250W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
NGTG30N60FLWG
仓库库存编号：
NGTG30N60FLWGOS-ND
别名：NGTG30N60FLWGOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SO
型号：
SM8LC03/TR7
仓库库存编号：
SM8LC03MSTR-ND
别名：SM8LC03
SM8LC03/TR7-ND
SM8LC03MSTR
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号：
SM8LC05/TR7
仓库库存编号：
SM8LC05/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
型号：
SM8LC24/TR7
仓库库存编号：
SM8LC24/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA5N100P
仓库库存编号：
IXFA5N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC REG CTRLR PWM CM 8SOIC
详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC
型号：
UCC3807D-2G4
仓库库存编号：
UCC3807D-2G4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 205W（Tc） TO-247-3
型号：
FCH22N60N
仓库库存编号：
FCH22N60N-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP7N80P
仓库库存编号：
IXFP7N80P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 63W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1N120P
仓库库存编号：
IXTA1N120P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C020NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C020NT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 60A 329W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
GPA030A120I-FD
仓库库存编号：
1560-1219-5-ND
别名：1560-1219-1
1560-1219-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号：
GPA040A120MN-FD
仓库库存编号：
1560-1224-5-ND
别名：1560-1224-1
1560-1224-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ16N50P
仓库库存编号：
IXTQ16N50P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ14N60P
仓库库存编号：
IXTQ14N60P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） TO-220AB
型号：
IXKP13N60C5
仓库库存编号：
IXKP13N60C5-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 120A 378W TO247
详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247
型号：
FGH60N60SFDTU
仓库库存编号：
FGH60N60SFDTU-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPF30PBF
仓库库存编号：
IRFPF30PBF-ND
别名：*IRFPF30PBF
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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