以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Global Power Technologies Group
  IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
  
  型号：GPA030A120MN-FD
  仓库库存编号：1560-1220-5-ND
  别名：1560-1220-1
  1560-1220-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  IGBT 1000V 60A 463W TO264
  详细描述：IGBT NPT and Trench Through Hole TO-264
  
  型号：GPA042A100L-ND
  仓库库存编号：1560-1225-5-ND
  别名：1560-1225-1
  1560-1225-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA16N50P
  仓库库存编号：IXTA16N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA14N60P
  仓库库存编号：IXTA14N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 70A 190W TO220
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP30N60B2
  仓库库存编号：IXGP30N60B2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP2N100A
  仓库库存编号：IXGP2N100A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 280W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA20N50_F109
  仓库库存编号：FDA20N50_F109-ND
  别名：FDA20N50
  FDA20N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N65E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 47A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C01NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4C01NT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001422558
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP06N120P
  仓库库存编号：IXTP06N120P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N120P
  仓库库存编号：IXTP1N120P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP42N25P
  仓库库存编号：IXTP42N25P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 300V 223W TO220AB
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP42N30C3
  仓库库存编号：IXGP42N30C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 50A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V QC Terminal GBPC40
  
  型号：GBPC50005 T0G
  仓库库存编号：GBPC50005 T0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 50A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V QC Terminal GBPC40-M
  
  型号：GBPC50005M T0G
  仓库库存编号：GBPC50005M T0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK800
  仓库库存编号：497-5123-1-ND
  别名：497-5123-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC REG CTRLR BST FLYBK VM 16SOIC
  详细描述：Converter Offline Flyback, Forward Topology 16-SOIC
  
  型号：UCC2580DTR-4
  仓库库存编号：UCC2580DTR-4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  IC REG CTRLR BST FLYBK VM 16SOIC
  详细描述：Converter Offline Flyback, Forward Topology 16-SOIC
  
  型号：UCC2580DTR-4G4
  仓库库存编号：UCC2580DTR-4G4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1000V 8A 40W TO220AB
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP4N100
  仓库库存编号：IXGP4N100-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 37A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 417W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB42S60L
  仓库库存编号：AOB42S60L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 60A 208W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247
  
  型号：AOK30B60D
  仓库库存编号：AOK30B60D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG16N50C-E3
  仓库库存编号：SIHG16N50C-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60EL-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60EL-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 300W TO263AA
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA48N60C3
  仓库库存编号：IXGA48N60C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索