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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 40A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V QC Terminal GBPC40-M
  
  型号：GBPC4006M T0G
  仓库库存编号：GBPC4006M T0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SO
  
  型号：SMDB03/TR7
  仓库库存编号：SMDB03/TR7TR-ND
  别名：SMDB03
  SMDB03/TR7TR
  SMDB03MSTR
  SMDB03MSTR-ND
  SMDB03TR7
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 19VC 8SO
  
  型号：SMDB12/TR7
  仓库库存编号：SMDB12/TR7TR-ND
  别名：SMDB12
  SMDB12/TR7TR
  SMDB12MSTR
  SMDB12MSTR-ND
  SMDB12TR7
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 24VC 8SO
  
  型号：SMDB15/TR7
  仓库库存编号：SMDB15/TR7TR-ND
  别名：SMDB15
  SMDB15/TR7TR
  SMDB15MSTR
  SMDB15MSTR-ND
  SMDB15TR7
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），104A（Tc） 3.3W（Ta），138W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS6B05NT1G
  仓库库存编号：NTMFS6B05NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS6B05NT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• IXYS
  IGBT 300V 170A 330W TO3P
  详细描述：IGBT Through Hole TO-3P
  
  型号：IXGQ170N30PB
  仓库库存编号：IXGQ170N30PB-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 75VWM 14SOIC
  
  型号：MMAD130E3/TR13
  仓库库存编号：MMAD130E3/TR13MSTR-ND
  别名：MMAD130E3
  MMAD130E3/TR13TR-ND
  MMAD130E3MSTR
  MMAD130E3MSTR-ND
  MMAD130E3TR13
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP14N60P
  仓库库存编号：IXTP14N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 600V 15A GSIB-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：LVB1560-M3/45
  仓库库存编号：LVB1560-M3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60E
  仓库库存编号：FCP190N60E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA70N20
  仓库库存编号：FDA70N20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG SWTCHD CAP ADJ 50MA 10DFN
  详细描述：可调式 充电泵 开关稳压器 IC 正 2.4V 1 输出 50mA 10-WFDFN 裸露焊盘
  
  型号：LTC3255EDD#TRPBF
  仓库库存编号：LTC3255EDD#TRPBFTR-ND
  别名：LTC3255EDD#TRPBFTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Linear Technology
  IC REG SWITCHD CAP ADJ 10-MSOP
  详细描述：可调式 充电泵 开关稳压器 IC 正 2.4V 1 输出 50mA 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
  
  型号：LTC3255EMSE#TRPBF
  仓库库存编号：LTC3255EMSE#TRPBFTR-ND
  别名：LTC3255EMSE#TRPBFTR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C020NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4C020NT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB12N50C-E3
  仓库库存编号：SIHB12N50C-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 36W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF12N50C-E3
  仓库库存编号：SIHF12N50C-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 18A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 417W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK18N65L
  仓库库存编号：785-1589-5-ND
  别名：785-1456-5
  785-1456-5-ND
  785-1589-5
  AOK18N65
  AOK18N65L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASTRLPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASTRRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 25A 50V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC25005W
  仓库库存编号：GBPC25005W-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N100P
  仓库库存编号：IXTA3N100P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 300V 223W TO263AA
  详细描述：IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA42N30C3
  仓库库存编号：IXGA42N30C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
  
  型号：SMDA03C/TR7
  仓库库存编号：SMDA03C/TR7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 19VC 8SOIC
  
  型号：SMDA12C/TR7
  仓库库存编号：SMDA12C/TR7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 24VC 8SOIC
  
  型号：SMDA15C/TR7
  仓库库存编号：SMDA15C/TR7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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