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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 50A 200V GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC5002W-G
  仓库库存编号：GBPC5002W-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 50A 400V GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC5004W-G
  仓库库存编号：GBPC5004W-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MV8 40V NCH DUAL COOL POWERTRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 420A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（8x8）
  
  型号：FDMT80040DC
  仓库库存编号：FDMT80040DC-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA10N60P
  仓库库存编号：IXTA10N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA12N50P
  仓库库存编号：IXFA12N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 45A 164W TO263AB
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-263AB
  
  型号：HGT1S20N60C3S9A
  仓库库存编号：HGT1S20N60C3S9A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG17N60D-E3
  仓库库存编号：SIHG17N60D-E3-ND
  别名：SIHG17N60D-E3CT
  SIHG17N60D-E3CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG17N60D-GE3
  仓库库存编号：SIHG17N60D-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP12N50P
  仓库库存编号：IXTP12N50P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA7N80P
  仓库库存编号：IXFA7N80P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 40A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V QC Terminal GBPC40
  
  型号：GBPC40005 T0G
  仓库库存编号：GBPC40005 T0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 40A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V QC Terminal GBPC40-M
  
  型号：GBPC40005M T0G
  仓库库存编号：GBPC40005M T0G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE GPP 35A 200V GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC3502W
  仓库库存编号：VS-GBPC3502WVS-ND
  别名：GBPC3502WIR
  GBPC3502WIR-ND
  GBPC3502WVS
  GBPC3502WVS-ND
  VS-GBPC3502WIR
  VS-GBPC3502WIR-ND
  VS-GBPC3502WVS
  VSGBPC3502W
  VSGBPC3502WIR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 60A 220W TO220AB
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP30N60C3
  仓库库存编号：IXGP30N60C3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG460B-GE3
  仓库库存编号：SIHG460B-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60
  仓库库存编号：FCA20N60-ND
  别名：FCA20N60_NL
  FCA20N60_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA20N60_F109
  仓库库存编号：FCA20N60_F109-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR ISO PWM VM 8-SOIC
  详细描述：Converter Offline Up to 400kHz 8-SOIC
  
  型号：UCC2960DG4
  仓库库存编号：UCC2960DG4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 3.3VWM 9VC 14SOIC
  
  型号：SMDA03C-8/TR13
  仓库库存编号：SMDA03C-8/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 54A 167W TO247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG12N60A4D
  仓库库存编号：HGTG12N60A4D-ND
  别名：HGTG12N60A4D_NL
  HGTG12N60A4D_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP10N60P
  仓库库存编号：IXTP10N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 50A KBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC50005T
  仓库库存编号：KBPC50005TGN-ND
  别名：KBPC50005T/WGN
  KBPC50005T/WGN-ND
  KBPC50005TW
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 50A KBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 50A Chassis Mount KBPC-T
  
  型号：KBPC5010T
  仓库库存编号：KBPC5010TGN-ND
  别名：KBPC50010T
  KBPC50010T/WGN
  KBPC50010T/WGN-ND
  KBPC50010TGN-ND
  KBPC50010TW
  KBPC5010TGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 50A KBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 50A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC5001T
  仓库库存编号：KBPC5001TGN-ND
  别名：KBPC5001T/WGN
  KBPC5001T/WGN-ND
  KBPC5001TW
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 50A KBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A Chassis Mount KBPC-T
  
  型号：KBPC5002T
  仓库库存编号：KBPC5002TGN-ND
  别名：KBPC5002T/WGN
  KBPC5002T/WGN-ND
  KBPC5002TW
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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