规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 50A 200V KBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 50A Chassis Mount KBPC
型号：
KBPC5002-G
仓库库存编号：
KBPC5002-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 50A 400V KBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 50A Chassis Mount KBPC
型号：
KBPC5004-G
仓库库存编号：
KBPC5004-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 83W（Tc） TO-252
型号：
IXTY10P15T
仓库库存编号：
IXTY10P15T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） TO-252
型号：
IXTY32P05T
仓库库存编号：
IXTY32P05T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号：
GPA030A135MN-FDR
仓库库存编号：
1560-1221-5-ND
别名：1560-1221-1
1560-1221-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7862ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7862ADP-T1-E3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7862ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7862ADP-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA80R600P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R600P7XKSA1-ND
别名：SP001644604
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 60W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP80R600P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R600P7XKSA1-ND
别名：SP001644610
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19VC 8SO
型号：
SMDA12/TR7
仓库库存编号：
SMDA12/TR7TR-ND
别名：SMDA12
SMDA12/TR7TR
SMDA12MSTR
SMDA12MSTR-ND
SMDA12TR7
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 32VC 8SO
型号：
USB50815C-A/TR7
仓库库存编号：
USB50815C-AMSTR-ND
别名：USB0815C
USB0815CMSTR
USB0815CMSTR-ND
USB50815C
USB50815C-AMSTR
USB50815CMSTR
USB50815CMSTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 57VC 8SO
型号：
USB50824C/TR7
仓库库存编号：
USB50824C/TR7TR-ND
别名：USB0824C
USB0824CMSTR
USB0824CMSTR-ND
USB50824C
USB50824C-AMSTR
USB50824C-AMSTR-ND
USB50824C/TR7TR
USB50824CMSTR
USB50824CMSTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号：
SMDA03/TR7
仓库库存编号：
SMDA03/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 24VC 8SOIC
型号：
SMDA15/TR7
仓库库存编号：
SMDA15/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 43VC 8SOIC
型号：
SMDA24/TR7
仓库库存编号：
SMDA24/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC
型号：
USB50803C-A/TR7
仓库库存编号：
USB50803C-A/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 13VC 8SOIC
型号：
USB50805/TR7
仓库库存编号：
USB50805/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 13VC 8SOIC
型号：
USB50805C/TR7
仓库库存编号：
USB50805C/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 13VC 8SOIC
型号：
USB50805C-A/TR7
仓库库存编号：
USB50805C-A/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 26VC 8SOIC
型号：
USB50812C-A/TR7
仓库库存编号：
USB50812C-A/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 32VC 8SOIC
型号：
USB50815C/TR7
仓库库存编号：
USB50815C/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 57VC 8SOIC
型号：
USB50824C-A/TR7
仓库库存编号：
USB50824C-A/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 75W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
IXTP14N60PM
仓库库存编号：
IXTP14N60PM-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 417W（Tc） TO-247
型号：
AOK22N50L
仓库库存编号：
AOK22N50L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP7N80PM
仓库库存编号：
IXFP7N80PM-ND
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