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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），66W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ123N08NS3 G
  仓库库存编号：BSZ123N08NS3GINCT-ND
  别名：BSZ123N08NS3GINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 39W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD02N40-1G
  仓库库存编号：NDD02N40-1GOS-ND
  别名：NDD02N40-1G-ND
  NDD02N40-1GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC DRIVER GATE HIGH SIDE 8SOP
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
  
  型号：FAN7371MX
  仓库库存编号：FAN7371MXCT-ND
  别名：FAN7371MXCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 2W（Ta），3.5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3438DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3438DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3438DV-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD390N15A
  仓库库存编号：FDD390N15ACT-ND
  别名：FDD390N15ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6898AZ
  仓库库存编号：FDS6898AZCT-ND
  别名：FDS6898AZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 310mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVP2110GTA
  仓库库存编号：ZVP2110GCT-ND
  别名：ZVP2110G
  ZVP2110GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 400V 0.5A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 400V 500mA 85MHz 3W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT958TA
  仓库库存编号：FZT958CT-ND
  别名：FZT958
  FZT958CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRPBF
  仓库库存编号：IRFR120TRPBFCT-ND
  别名：IRFR120TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AB
  
  型号：SMLJ5.0CA
  仓库库存编号：SMLJ5.0CABCT-ND
  别名：SMLJ5.0CABCT
  SMLJ5.0CACT
  SMLJ5.0CACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB
  
  型号：SMLJ12CA
  仓库库存编号：SMLJ12CABCT-ND
  别名：SMLJ12CABCT
  SMLJ12CACT
  SMLJ12CACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AB
  
  型号：SMLJ40CA
  仓库库存编号：SMLJ40CABCT-ND
  别名：SMLJ40CABCT
  SMLJ40CACT
  SMLJ40CACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 1.5A 4-DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole 4-DIP
  
  型号：DF06M
  仓库库存编号：DF06M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 1.5A 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.5A Through Hole 4-DIP
  
  型号：DF10M
  仓库库存编号：DF10M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 1.5A 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole 4-DIP
  
  型号：DF08M
  仓库库存编号：DF08M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 300V 0.1A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 150MHz 7W Through Hole TO-126-3
  
  型号：KSC3503DSTU
  仓库库存编号：KSC3503DSTUFS-ND
  别名：KSC3503DSTU-ND
  KSC3503DSTUFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP2106N3-G
  仓库库存编号：VP2106N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
  
  型号：FDC8601
  仓库库存编号：FDC8601CT-ND
  别名：FDC8601CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC025N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC025N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC025N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC025N03LSGINCT
  BSC025N03LSGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 568mW（Ta） SOT-143
  
  型号：MIC94030YM4-TR
  仓库库存编号：576-2936-1-ND
  别名：576-2936-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4559ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4559ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4559ADY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4559ADY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4559ADY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4559ADY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 2.5W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4424GTA
  仓库库存编号：ZVN4424GCT-ND
  别名：ZVN4424G
  ZVN4424GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7317DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7317DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7317DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT86106LZ
  仓库库存编号：FDT86106LZCT-ND
  别名：FDT86106LZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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