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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 25A 200V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC2502-G
  仓库库存编号：641-1850-ND
  别名：641-1850
  KBPC2502-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V KBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Chassis Mount KBPC
  
  型号：KBPC2506-G
  仓库库存编号：641-1852-ND
  别名：641-1852
  KBPC2506-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 10A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP10P15T
  仓库库存编号：IXTP10P15T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 70A 290W TO220AB
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：HGTP20N60A4
  仓库库存编号：HGTP20N60A4-ND
  别名：HGTP20N60A4_NL
  HGTP20N60A4_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 25A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT25S65L
  仓库库存编号：785-1514-5-ND
  别名：AOT25S65L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB15N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB15N65E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 25A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC25005T
  仓库库存编号：GBPC25005TGN-ND
  别名：GBPC25005T/WGN
  GBPC25005T/WGN-ND
  GBPC25005TW
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC25005W
  仓库库存编号：GBPC25005WGS-ND
  别名：GBPC25005WGS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC3502W
  仓库库存编号：GBPC3502WGS-ND
  别名：GBPC3502WGS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 165W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：FGH20N60SFDTU
  仓库库存编号：FGH20N60SFDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 600V 80A 231W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
  
  型号：GPI040A060MN-FD
  仓库库存编号：1560-1227-5-ND
  别名：1560-1227-1
  1560-1227-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC37321DG4
  仓库库存编号：UCC37321DG4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC37322DG4
  仓库库存编号：UCC37322DG4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM 8-SOIC
  详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Half-Bridge, Push-Pull Topology 1MHz 8-SOIC
  
  型号：UCC3808AD-1G4
  仓库库存编号：UCC3808AD-1G4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM 8SOIC
  详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC
  
  型号：UCC3813D-2G4
  仓库库存编号：UCC3813D-2G4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM 8SOIC
  详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC
  
  型号：UCC3813D-4G4
  仓库库存编号：UCC3813D-4G4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM 8TSSOP
  详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-TSSOP
  
  型号：UCC3813PW-4G4
  仓库库存编号：UCC3813PW-4G4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），210A（Tc） 1.06W（Ta），104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4933NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4933NT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.2A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：NTMFD4C88NT1G
  仓库库存编号：NTMFD4C88NT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  BRIDGE RECTIFIER GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ3510-F
  仓库库存编号：GBJ3510-F-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ASTRLPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC30STRLPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDD614SITR
  仓库库存编号：IXDD614SITR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  14A 8LEAD SOIC EXP MTL INVERTING
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDI614SITR
  仓库库存编号：IXDI614SITR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  14A 8SOIC EXP MTL NON INVERTING
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  
  型号：IXDN614SITR
  仓库库存编号：IXDN614SITR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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