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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：ZXMHC6A07N8TC
  仓库库存编号：ZXMHC6A07N8DICT-ND
  别名：ZXMHC6A07N8DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.7A（Tc） 2.77W（Ta），6.25W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8429DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8429DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8429DB-T1-E1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7309DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7309DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7309DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：ZXMHC3A01N8TC
  仓库库存编号：ZXMHC3A01N8DICT-ND
  别名：ZXMHC3A01N8DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7309DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7309DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7309DN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），40W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA10DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA10DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA10DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），45A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC196N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC196N10NSGATMA1CT-ND
  别名：BSC196N10NS GCT
  BSC196N10NS GCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7342TRPBF
  仓库库存编号：IRF7342PBFCT-ND
  别名：*IRF7342TRPBF
  IRF7342PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17527Q5A
  仓库库存编号：296-29021-1-ND
  别名：296-29021-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS7672AS
  仓库库存编号：FDMS7672ASCT-ND
  别名：FDMS7672ASCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN10KN3-G
  仓库库存编号：VN10KN3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：LND150N3-G
  仓库库存编号：LND150N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB
  
  型号：SMLJ51A
  仓库库存编号：SMLJ51ABCT-ND
  别名：SMLJ51ABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 78VWM 126VC DO214AB
  
  型号：SMLJ78A
  仓库库存编号：SMLJ78ABCT-ND
  别名：SMLJ78ABCT
  SMLJ78ACT
  SMLJ78ACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
  
  型号：SMLJ70A
  仓库库存编号：SMLJ70ABCT-ND
  别名：SMLJ70ABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 75VWM 121VC DO214AB
  
  型号：SMLJ75A
  仓库库存编号：SMLJ75ABCT-ND
  别名：SMLJ75ABCT
  SMLJ75ACT
  SMLJ75ACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ067N06LS3 G
  仓库库存编号：BSZ067N06LS3GINCT-ND
  别名：BSZ067N06LS3GINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17510Q5A
  仓库库存编号：296-27792-1-ND
  别名：296-27792-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4286DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4286DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4286DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC2523P
  仓库库存编号：FDMC2523PCT-ND
  别名：FDMC2523PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 80V 0.5A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：MPSA06
  仓库库存编号：MPSA06-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP149H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP149H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP149H6327XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.2W（Ta），37W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD17578Q3AT
  仓库库存编号：296-38462-1-ND
  别名：296-38462-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135mA（Tj） 1.3W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN3135N8-G
  仓库库存编号：DN3135N8-GCT-ND
  别名：DN3135N8-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5410TRPBF
  仓库库存编号：IRFR5410PBFCT-ND
  别名：*IRFR5410TRPBF
  IRFR5410PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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