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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU024
仓库库存编号：
IRLU024-ND
别名：*IRLU024
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 35A GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V QC Terminal GBPC
型号：
GBPC35005TA
仓库库存编号：
GBPC35005TA-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3501TA
仓库库存编号：
GBPC3501TA-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3502TA
仓库库存编号：
GBPC3502TA-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 400V 35A GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3504TA
仓库库存编号：
GBPC3504TA-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3508TA
仓库库存编号：
GBPC3508TA-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 15A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1506T
仓库库存编号：
GBPC1506TGN-ND
别名：GBPC1506T/WGN
GBPC1506T/WGN-ND
GBPC1506TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2502T
仓库库存编号：
GBPC2502TGN-ND
别名：GBPC2502T/WGN
GBPC2502T/WGN-ND
GBPC2502TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 15A GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC1506W
仓库库存编号：
GBPC1506WGS-ND
别名：GBPC1506WGS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF740STRRPBF
仓库库存编号：
IRF740STRRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP7N60P
仓库库存编号：
IXTP7N60P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号：
SMDA03/TR13
仓库库存编号：
SMDA03/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号：
SMDA05/TR13
仓库库存编号：
SMDA05/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19VC 8SOIC
型号：
SMDA12/TR13
仓库库存编号：
SMDA12/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 24VC 8SOIC
型号：
SMDA15/TR13
仓库库存编号：
SMDA15/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 43VC 8SOIC
型号：
SMDA24/TR13
仓库库存编号：
SMDA24/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC
型号：
USB50803C/TR13
仓库库存编号：
USB50803C/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC
型号：
USB50803C-A/TR13
仓库库存编号：
USB50803C-A/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 13VC 8SOIC
型号：
USB50805/TR13
仓库库存编号：
USB50805/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 13VC 8SOIC
型号：
USB50805C/TR13
仓库库存编号：
USB50805C/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 13VC 8SOIC
型号：
USB50805C-A/TR13
仓库库存编号：
USB50805C-A/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 26VC 8SOIC
型号：
USB50812C/TR13
仓库库存编号：
USB50812C/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 26VC 8SOIC
型号：
USB50812C-A/TR13
仓库库存编号：
USB50812C-A/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 32VC 8SOIC
型号：
USB50815C/TR13
仓库库存编号：
USB50815C/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 32VC 8SOIC
型号：
USB50815C-A/TR13
仓库库存编号：
USB50815C-A/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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