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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF23N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF23N60E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
  详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 94W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCP11N60N_F102
  仓库库存编号：FCP11N60N_F102-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TR
  仓库库存编号：IRLR024TR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TRL
  仓库库存编号：IRLR024TRL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7962DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7962DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7962DP-T1-E3TR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Intersil
  IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-QFN-EP (5x5)
  
  型号：HIP2101IRZ
  仓库库存编号：HIP2101IRZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Texas Instruments
  IC REG CTRL BST FLYBK ISO 8VSSOP
  详细描述：Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-VSSOP
  
  型号：UCC25706DGKG4
  仓库库存编号：UCC25706DGKG4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 3.3VWM 9VC 14SOIC
  
  型号：SMDA03C-8E3/TR7
  仓库库存编号：SMDA03C-8E3/TR7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC 14SOIC
  
  型号：SMDA05C-8E3/TR7
  仓库库存编号：SMDA05C-8E3/TR7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 24VC 14SOIC
  
  型号：SMDA12C-8E3/TR7
  仓库库存编号：SMDA12C-8E3/TR7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 30VC 14SOIC
  
  型号：SMDA15C-8E3/TR7
  仓库库存编号：SMDA15C-8E3/TR7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 55VC 14SOIC
  
  型号：SMDA24C-8E3/TR7
  仓库库存编号：SMDA24C-8E3/TR7-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
  
  型号：SMDA03C-4-2/TR13
  仓库库存编号：SMDA03C-4-2/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
  
  型号：SMDA03C-5/TR13
  仓库库存编号：SMDA03C-5/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
  
  型号：SMDA05C-4-2/TR13
  仓库库存编号：SMDA05C-4-2/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
  
  型号：SMDA05C-5/TR13
  仓库库存编号：SMDA05C-5/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
  
  型号：SMDA12C-4-2/TR13
  仓库库存编号：SMDA12C-4-2/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
  
  型号：SMDA12C-5/TR13
  仓库库存编号：SMDA12C-5/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
  
  型号：SMDA15C-4-2/TR13
  仓库库存编号：SMDA15C-4-2/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
  
  型号：SMDA15C-5/TR13
  仓库库存编号：SMDA15C-5/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
  
  型号：SMDA24C-4-2/TR13
  仓库库存编号：SMDA24C-4-2/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
  
  型号：SMDA24C-5/TR13
  仓库库存编号：SMDA24C-5/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9640LPBF
  仓库库存编号：IRF9640LPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC DRMOS MODULE 1000KHZ 40-MLP
  详细描述：Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters DrMOS 40-MLP (6x6)
  
  型号：FDMF6704V
  仓库库存编号：FDMF6704VCT-ND
  别名：FDMF6704VCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB25N33TM_F085
  仓库库存编号：FQB25N33TM_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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