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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 3.3VWM 9VC 16SOIC
  
  型号：SM1603CE3/TR13
  仓库库存编号：SM1603CE3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 24VC 16SOIC
  
  型号：SM1612CE3/TR13
  仓库库存编号：SM1612CE3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 30VC 16SOIC
  
  型号：SM1615CE3/TR13
  仓库库存编号：SM1615CE3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 55VC 16SOIC
  
  型号：SM1624CE3/TR13
  仓库库存编号：SM1624CE3/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB18N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB18N60E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），210A（Tc） 1.06W（Ta），104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4933NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4933NT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.2A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：NTMFD4C88NT3G
  仓库库存编号：NTMFD4C88NT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP17N60D-E3
  仓库库存编号：SIHP17N60D-E3-ND
  别名：SIHP17N60DE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP17N60D-GE3
  仓库库存编号：SIHP17N60D-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF190N65FL1
  仓库库存编号：FCPF190N65FL1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR BST FLYBK PWM 8SOIC
  详细描述：Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC
  
  型号：UCC2807DTR-2
  仓库库存编号：UCC2807DTR-2-ND
  别名：UCC2807DTR-2G4
  UCC2807DTR-2G4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC SYNC BUCK NEXFET 12SON
  详细描述：Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters Power MOSFET 12-LSON (5x6)
  
  型号：CSD95373BQ5M
  仓库库存编号：296-40017-1-ND
  别名：296-40017-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  含铅
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 15A GBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A QC Terminal GBPC-T
  
  型号：GBPC15010T
  仓库库存编号：GBPC15010TGN-ND
  别名：GBPC15010T/WGN
  GBPC15010T/WGN-ND
  GBPC15010TW
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 25A KBPC-T/W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Chassis Mount KBPC-T
  
  型号：KBPC25010T
  仓库库存编号：KBPC25010TGN-ND
  别名：KBPC25010T/WGN
  KBPC25010T/WGN-ND
  KBPC25010TW
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF11N60T
  仓库库存编号：FCPF11N60T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR PWM CM 8DIP
  详细描述：Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-PDIP
  
  型号：UCC3809N-1G4
  仓库库存编号：UCC3809N-1G4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N100P
  仓库库存编号：IXTA08N100P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA18P10T
  仓库库存编号：IXTA18P10T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 32A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA32P05T
  仓库库存编号：IXTA32P05T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 89W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY4N60P
  仓库库存编号：IXTY4N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF25S65
  仓库库存编号：785-1530-5-ND
  别名：AOWF25S65-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 25A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW25S65
  仓库库存编号：785-1526-5-ND
  别名：AOW25S65-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 7.6A, 5.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7540DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7540DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7540DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R900P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R900P7XKSA1-ND
  别名：SP001633482
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP80R900P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R900P7XKSA1-ND
  别名：SP001633486
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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