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Intersil
IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN
详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-QFN-EP (5x5)
型号：
HIP2100IRZT
仓库库存编号：
HIP2100IRZT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Intersil
IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN
详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 16-QFN-EP (5x5)
型号：
HIP2101IRZT
仓库库存编号：
HIP2101IRZT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
详细描述：IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3PN
型号：
GPA025A120MN-ND
仓库库存编号：
1560-1218-5-ND
别名：1560-1218-1
1560-1218-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1N80P
仓库库存编号：
IXTY1N80P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 50W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1N100P
仓库库存编号：
IXTA1N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP08N100P
仓库库存编号：
IXTP08N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1N100P
仓库库存编号：
IXTP1N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5T
仓库库存编号：
CSD16415Q5T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 3VWM 23VC SMD
型号：
CDNBS16-T03C
仓库库存编号：
CDNBS16-T03C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 5VWM 24VC SMD
型号：
CDNBS16-T05C
仓库库存编号：
CDNBS16-T05C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 8VWM 26VC SMD
型号：
CDNBS16-T08C
仓库库存编号：
CDNBS16-T08C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 15VWM 39VC SMD
型号：
CDNBS16-T15C
仓库库存编号：
CDNBS16-T15C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 24VWM 57VC SMD
型号：
CDNBS16-T24C
仓库库存编号：
CDNBS16-T24C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 36VWM 72VC SMD
型号：
CDNBS16-T36C
仓库库存编号：
CDNBS16-T36C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
型号：
IX2204NETR
仓库库存编号：
IX2204NETR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 10A 50V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 10A Through Hole GBU
型号：
GBU10005
仓库库存编号：
GBU10005DI-ND
别名：GBU10005-ND
GBU10005DI
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 200V LDTU FORM
详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF39N20TLDTU
仓库库存编号：
FDPF39N20TLDTU-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 50V KBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 10A Chassis Mount KBPC
型号：
KBPC10005-G
仓库库存编号：
KBPC10005-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 100V KBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 10A Chassis Mount KBPC
型号：
KBPC1001-G
仓库库存编号：
KBPC1001-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 200V KBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 10A Chassis Mount KBPC
型号：
KBPC1002-G
仓库库存编号：
641-1846-ND
别名：641-1846
KBPC1002-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 600V KBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Chassis Mount KBPC
型号：
KBPC1006-G
仓库库存编号：
641-1848-ND
别名：641-1848
KBPC1006-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4408DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4408DY-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4862DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4862DY-T1-E3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4862DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4862DY-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA18N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA18N60E-E3-ND
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