以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 245W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK8N80
  仓库库存编号：AOK8N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 463W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB20C60L
  仓库库存编号：AOB20C60L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA7N80C_F109
  仓库库存编号：FQA7N80C_F109-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 54A 167W TO220AB
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：HGTP12N60A4D
  仓库库存编号：HGTP12N60A4D-ND
  别名：HGTP12N60A4D_NL
  HGTP12N60A4D_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263
  
  型号：IXDD609YI
  仓库库存编号：IXDD609YI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting TO-220-5
  
  型号：IXDI609CI
  仓库库存编号：IXDI609CI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 9A NON-INV TO220-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5
  
  型号：IXDN609CI
  仓库库存编号：IXDN609CI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS Integrated Circuits Division
  IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263-5
  
  型号：IXDN609YI
  仓库库存编号：IXDN609YI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30SPBF
  仓库库存编号：IRFBC30SPBF-ND
  别名：*IRFBC30SPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-263AB
  
  型号：IRF840LPBF
  仓库库存编号：IRF840LPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP25N40D-E3
  仓库库存编号：SIHP25N40D-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4368DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4368DY-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Intersil
  IC FET DRIVER H-BRIDGE 1A 16SOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 16-SOIC
  
  型号：ISL83202IBZT
  仓库库存编号：ISL83202IBZT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 24VWM 57VC 8SO
  
  型号：USB50824/TR13
  仓库库存编号：USB50824/TR13-ND
  别名：Q6222461
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 12VWM 26VC 8SOIC
  
  型号：USB50812/TR13
  仓库库存编号：USB50812/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 15VWM 32VC 8SOIC
  
  型号：USB50815/TR13
  仓库库存编号：USB50815/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PH 50V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC25005WTA
  仓库库存编号：GBPC25005WTA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PH 100V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2501WTA
  仓库库存编号：GBPC2501WTA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PH 200V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2502WTA
  仓库库存编号：GBPC2502WTA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PH 400V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2504WTA
  仓库库存编号：GBPC2504WTA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• SMC Diode Solutions
  BRIDGE RECT 1PH 800V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC2508WTA
  仓库库存编号：GBPC2508WTA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K2P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K2P7XKSA1-ND
  别名：SP001644600
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP80R1K2P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R1K2P7XKSA1-ND
  别名：SP001644606
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.8A（Tc） 30.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF7N60NT
  仓库库存编号：FCPF7N60NT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP18N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP18N60E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索