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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 3A TO-126
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 90MHz 1W Through Hole TO-126-3
  
  型号：KSD882YSTU
  仓库库存编号：KSD882YSTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 50V 1A DFS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF005S-G
  仓库库存编号：641-1344-5-ND
  别名：641-1344-5
  DF005SG
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
  
  型号：ZXMC3AMCTA
  仓库库存编号：ZXMC3AMCTACT-ND
  别名：ZXMC3AMCTACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
  
  型号：SMLJ22A
  仓库库存编号：SMLJ22ABCT-ND
  别名：SMLJ22ABCT
  SMLJ22ACT
  SMLJ22ACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO214AB
  
  型号：SMLJ26A
  仓库库存编号：SMLJ26ABCT-ND
  别名：SMLJ26ABCT
  SMLJ26ACT
  SMLJ26ACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 7VWM 12VC DO214AB
  
  型号：SMLJ7.0A
  仓库库存编号：SMLJ7.0ABCT-ND
  别名：SMLJ7.0ABCT
  SMLJ7.0ACT
  SMLJ7.0ACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AB
  
  型号：SMLJ30A
  仓库库存编号：SMLJ30ABCT-ND
  别名：SMLJ30ABCT
  SMLJ30ACT
  SMLJ30ACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 790mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL214TRPBF
  仓库库存编号：IRFL214PBFCT-ND
  别名：*IRFL214TRPBF
  IRFL214PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 17.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7904BDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7904BDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7904BDN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4294
  仓库库存编号：785-1732-1-ND
  别名：785-1732-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9120PBFCT-ND
  别名：*IRFR9120TRPBF
  IRFR9120PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC160N10NS3 GINCT
  BSC160N10NS3 GINCT-ND
  BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVNL110GTA
  仓库库存编号：ZVNL110GCT-ND
  别名：ZVNL110G
  ZVNL110GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  JFET N-CH 35V 625MW TO92
  详细描述：JFET N-Channel 2mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：J113
  仓库库存编号：J113FS-ND
  别名：J113FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC RECT BRIDGE 100V 1.5A 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1.5A Through Hole 4-DIP
  
  型号：DF01M
  仓库库存编号：DF01M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 1.5A 4-DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole 4-DIP
  
  型号：DF02M
  仓库库存编号：DF02M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECTIFIER BRIDGE 50V 1.5A 4-DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1.5A Through Hole 4-DIP
  
  型号：DF005M
  仓库库存编号：DF005M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD6NK50ZT4
  仓库库存编号：497-6564-1-ND
  别名：497-6564-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9952A
  仓库库存编号：NDS9952ACT-ND
  别名：NDS9952ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC067N06LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC067N06LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC067N06LS3 GINCT
  BSC067N06LS3 GINCT-ND
  BSC067N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS270
  仓库库存编号：BS270FS-ND
  别名：BS270-ND
  BS270FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3692
  仓库库存编号：FDS3692CT-ND
  别名：FDS3692CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4386DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4386DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4386DY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4464DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4464DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4464DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7632
  仓库库存编号：FDMA7632CT-ND
  别名：FDMA7632CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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