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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1N100P
仓库库存编号：
IXTY1N100P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120
仓库库存编号：
IRLR120-ND
别名：*IRLR120
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TR
仓库库存编号：
IRLR120TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TRL
仓库库存编号：
IRLR120TRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4442DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4442DY-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号：
SMDA03C-4/TR13
仓库库存编号：
SMDA03C-4/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号：
SMDA05C-4/TR13
仓库库存编号：
SMDA05C-4/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
型号：
SMDA12C-4/TR13
仓库库存编号：
SMDA12C-4/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
型号：
SMDA15C-4/TR13
仓库库存编号：
SMDA15C-4/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
型号：
SMDA24C-4/TR13
仓库库存编号：
SMDA24C-4/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号：
SM8LC03E3/TR7
仓库库存编号：
SM8LC03E3/TR7-ND
别名：SM8LC03E3
SM8LC03E3MSTR
SM8LC03E3MSTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号：
SM8LC05E3/TR7
仓库库存编号：
SM8LC05E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
型号：
SM8LC12E3/TR7
仓库库存编号：
SM8LC12E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
型号：
SM8LC15E3/TR7
仓库库存编号：
SM8LC15E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
型号：
SM8LC24E3/TR7
仓库库存编号：
SM8LC24E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号：
SMDA05C-7/TR7
仓库库存编号：
SMDA05C-7/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
型号：
SMDA12C-7/TR7
仓库库存编号：
SMDA12C-7/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
型号：
SMDA15C-7/TR7
仓库库存编号：
SMDA15C-7/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
型号：
SMDA24C-7/TR7
仓库库存编号：
SMDA24C-7/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 5W（Ta），56W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7374DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7374DP-T1-E3TR-ND
别名：SI7374DP-T1-E3TR
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7956DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7956DP-T1-E3TR-ND
别名：SI7956DP-T1-E3TR
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE832DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE832DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE832DF-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 5W（Ta），56W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7374DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7374DP-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7738DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7738DP-T1-E3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 35A KBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A Chassis Mount KBPC
型号：
KBPC35005T
仓库库存编号：
KBPC35005TGN-ND
别名：KBPC35005T/WGN
KBPC35005T/WGN-ND
KBPC35005TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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