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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 1000V KBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 10A Through Hole KBPC-W
型号：
KBPC1010W-G
仓库库存编号：
KBPC1010W-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 3VWM 23VC SMD
型号：
CDNBS16-T03
仓库库存编号：
CDNBS16-T03-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 5VWM 24VC SMD
型号：
CDNBS16-T05
仓库库存编号：
CDNBS16-T05-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 8VWM 26VC SMD
型号：
CDNBS16-T08
仓库库存编号：
CDNBS16-T08-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 12VWM 33VC SMD
型号：
CDNBS16-T12
仓库库存编号：
CDNBS16-T12-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 15VWM 39VC SMD
型号：
CDNBS16-T15
仓库库存编号：
CDNBS16-T15-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 24VWM 57VC SMD
型号：
CDNBS16-T24
仓库库存编号：
CDNBS16-T24-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 36VWM 72VC SMD
型号：
CDNBS16-T36
仓库库存编号：
CDNBS16-T36-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC REG CTRLR PWN VM 8SOIC
详细描述：Converter Offline Boost, Flyback, Forward Topology 1MHz 8-SOIC
型号：
UCC35706DG4
仓库库存编号：
UCC35706DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1000V 25A BU-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.5A Through Hole isoCINK+? BU-5S
型号：
BU25105S-E3/45
仓库库存编号：
BU25105S-E3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF840LCLPBF
仓库库存编号：
IRF840LCLPBF-ND
别名：*IRF840LCLPBF
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840LCSPBF
仓库库存编号：
IRF840LCSPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 15A 800V KBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 15A Through Hole KBPC-W
型号：
KBPC1508W-G
仓库库存编号：
KBPC1508W-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 15A 1000V KBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A Through Hole KBPC-W
型号：
KBPC1510W-G
仓库库存编号：
KBPC1510W-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRLPBF
仓库库存编号：
IRL630STRLPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRRPBF
仓库库存编号：
IRL630STRRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5T
仓库库存编号：
CSD16401Q5T-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE PIN 100V 2.5W POWERMITE
详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
型号：
UPP1002E3/TR13
仓库库存编号：
UPP1002E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE PIN 100V 2.5W POWERMITE
详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
型号：
UPP1004E3/TR13
仓库库存编号：
UPP1004E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE PIN 100V 2.5W POWERMITE
详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
型号：
UPP1002E3/TR7
仓库库存编号：
UPP1002E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE PIN 100V 2.5W POWERMITE
详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
型号：
UPP1004E3/TR7
仓库库存编号：
UPP1004E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4838DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4838DY-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R900P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R900P7AKMA1-ND
别名：SP001633512
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R900P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R900P7AKMA1-ND
别名：SP001633526
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 94W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP11N60N
仓库库存编号：
FCP11N60N-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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