规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 25A 400V GSIB-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GSIB-5S
型号：
GSIB2540N-M3/45
仓库库存编号：
GSIB2540N-M3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 25A 600V GSIB-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GSIB-5S
型号：
GSIB2560N-M3/45
仓库库存编号：
GSIB2560N-M3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT 25A 800V GSIB-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole GSIB-5S
型号：
GSIB2580N-M3/45
仓库库存编号：
GSIB2580N-M3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 50V KBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 10A Through Hole KBPC-W
型号：
KBPC10005W-G
仓库库存编号：
KBPC10005W-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 100V KBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 10A Through Hole KBPC-W
型号：
KBPC1001W-G
仓库库存编号：
KBPC1001W-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 200V KBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 10A Through Hole KBPC-W
型号：
KBPC1002W-G
仓库库存编号：
KBPC1002W-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 400V KBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Through Hole KBPC-W
型号：
KBPC1004W-G
仓库库存编号：
KBPC1004W-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 10A 600V KBPCW
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 10A Through Hole KBPC-W
型号：
KBPC1006W-G
仓库库存编号：
KBPC1006W-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V/20V NCH POWER TRENCH M
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS10C4D2N
仓库库存编号：
FDMS10C4D2N-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
型号：
UCC27323DG4
仓库库存编号：
UCC27323DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8MSOP
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-MSOP-PowerPad
型号：
UCC27323DGNG4
仓库库存编号：
UCC27323DGNG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
型号：
UCC27325DG4
仓库库存编号：
UCC27325DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8MSOP
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-MSOP-PowerPad
型号：
UCC27325DGNG4
仓库库存编号：
UCC27325DGNG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
型号：
UCC27423DG4
仓库库存编号：
UCC27423DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
型号：
UCC27424DG4
仓库库存编号：
UCC27424DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8MSOP
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-MSOP-PowerPad
型号：
UCC27424DGNG4
仓库库存编号：
UCC27424DGNG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
型号：
UCC27425DG4
仓库库存编号：
UCC27425DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
型号：
UCC37323DG4
仓库库存编号：
UCC37323DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC DUAL HS PWR FET DRVR 8-MSOP
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-MSOP-PowerPad
型号：
UCC37323DGNG4
仓库库存编号：
UCC37323DGNG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC DUAL HS PWR FET DRIVER 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
型号：
UCC37324DG4
仓库库存编号：
UCC37324DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
IC DUAL HS PWR FET DRIVER 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
型号：
UCC37325DG4
仓库库存编号：
UCC37325DG4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECT BRIDGE GPP 10A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 10A Through Hole GBU
型号：
GBU1008
仓库库存编号：
GBU1008-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 165W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB12N50FTM_WS
仓库库存编号：
FDB12N50FTM_WSCT-ND
别名：FDB12N50FTM_WSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 113W（Tc） TO-251
型号：
DMJ70H600SH3
仓库库存编号：
DMJ70H600SH3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号：
GPA020A120MN-FD
仓库库存编号：
1560-1216-5-ND
别名：1560-1216-1
1560-1216-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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