规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Comchip Technology
TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC R-6
型号：
A5KP8.5CA-G
仓库库存编号：
A5KP8.5CA-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 80VWM 129.6VC R-6
型号：
A5KP80A-G
仓库库存编号：
A5KP80A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 80VWM 129.6VC R-6
型号：
A5KP80CA-G
仓库库存编号：
A5KP80CA-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 85VWM 137VC R-6
型号：
A5KP85A-G
仓库库存编号：
A5KP85A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 85VWM 137VC R-6
型号：
A5KP85CA-G
仓库库存编号：
A5KP85CA-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 9VWM 15.4VC R-6
型号：
A5KP9.0A-G
仓库库存编号：
A5KP9.0A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 9VWM 15.4VC R-6
型号：
A5KP9.0CA-G
仓库库存编号：
A5KP9.0CA-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 90VWM 146VC R-6
型号：
A5KP90A-G
仓库库存编号：
A5KP90A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 90VWM 146VC R-6
型号：
A5KP90CA-G
仓库库存编号：
A5KP90CA-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC R-6
型号：
A5KP7.5A-G
仓库库存编号：
A5KP7.5A-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 41A DFN5
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），270A（Tc） 3.2W（Ta）, 140W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5H409NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5H409NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5H409NLT1GOSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TR
仓库库存编号：
IRLR014TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TRL
仓库库存编号：
IRLR014TRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 4.2A Through Hole GBU
型号：
GBU2508-G
仓库库存编号：
GBU2508-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 15A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-262
型号：
AOW15S65
仓库库存编号：
785-1525-5-ND
别名：AOW15S65-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
型号：
IXDD604SITR
仓库库存编号：
IXDD604SITR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC-EP
型号：
IXDF604SITR
仓库库存编号：
IXDF604SITR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP
型号：
IXDI604SITR
仓库库存编号：
IXDI604SITR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
型号：
IXDN604SITR
仓库库存编号：
IXDN604SITR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730STRLPBF
仓库库存编号：
IRF730STRLPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730STRRPBF
仓库库存编号：
IRF730STRRPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF18N65L
仓库库存编号：
AOTF18N65L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF18N65
仓库库存编号：
785-1431-5-ND
别名：785-1431-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 50V 15A KBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 15A Chassis Mount KBPC
型号：
KBPC15005T
仓库库存编号：
KBPC15005TGN-ND
别名：KBPC15005T/WGN
KBPC15005T/WGN-ND
KBPC15005TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 15A KBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 15A Chassis Mount KBPC
型号：
KBPC1501T
仓库库存编号：
KBPC1501TGN-ND
别名：KBPC1501T/WGN
KBPC1501T/WGN-ND
KBPC1501TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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