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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ086P03NS3 G
  仓库库存编号：BSZ086P03NS3 GCT-ND
  别名：BSZ086P03NS3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4435DYTRPBF
  仓库库存编号：SI4435DYPBFCT-ND
  别名：*SI4435DYTRPBF
  SI4435DYPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  TVS DIODE 5VWM 17.5VC SOT23-6
  
  型号：SRV05-4L-TP
  仓库库存编号：SRV05-4L-TPMSCT-ND
  别名：SRV05-4L-TPMSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMP6A16KTC
  仓库库存编号：ZXMP6A16KCT-ND
  别名：ZXMP6A16KCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 15A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta） 8-SON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD17552Q3A
  仓库库存编号：296-34990-1-ND
  别名：296-34990-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
  
  型号：BSC150N03LD G
  仓库库存编号：BSC150N03LD GCT-ND
  别名：BSC150N03LD GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4532DY
  仓库库存编号：SI4532DYCT-ND
  别名：SI4532DYCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.5W（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN86246
  仓库库存编号：FDN86246CT-ND
  别名：FDN86246CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N40CTM
  仓库库存编号：FQD6N40CTMCT-ND
  别名：FQD6N40CTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 25V 4A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 4A 135MHz 2.5W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT1149ATA
  仓库库存编号：FZT1149ACT-ND
  别名：FZT1149A
  FZT1149ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR420TRPBF
  仓库库存编号：IRFR420PBFCT-ND
  别名：*IRFR420TRPBF
  IRFR420PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7716ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7716ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7716ADN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 2.5W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4835DDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4835DDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4835DDY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TRPBF
  仓库库存编号：IRLR024TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR024TRPBF
  IRLR024TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8817NZ
  仓库库存编号：FDS8817NZCT-ND
  别名：FDS8817NZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.4A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA910PZ
  仓库库存编号：FDMA910PZCT-ND
  别名：FDMA910PZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 2.5W（Ta），66W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC123N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC123N08NS3 GCT
  BSC123N08NS3 GCT-ND
  BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000BU
  仓库库存编号：2N7000BU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
  
  型号：CSD87502Q2T
  仓库库存编号：296-43692-1-ND
  别名：296-43692-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 72mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：DN3135K1-G
  仓库库存编号：DN3135K1-GCT-ND
  别名：DN3135K1-GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC076N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC076N06NS3 GCT
  BSC076N06NS3 GCT-ND
  BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ040N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ040N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ040N04LSGINCT
  BSZ040N04LSGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO150N03MD G
  仓库库存编号：BSO150N03MD GCT-ND
  别名：BSO150N03MD GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PMK35EP,518
  仓库库存编号：1727-7204-1-ND
  别名：1727-7204-1
  568-9695-1
  568-9695-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 6-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA86551L
  仓库库存编号：FDMA86551LCT-ND
  别名：FDMA86551LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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