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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 165VWM 308VC DO215AB
  
  型号：SMCG6071/TR13
  仓库库存编号：SMCG6071/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 175VWM 344VC DO215AB
  
  型号：SMCG6072/TR13
  仓库库存编号：SMCG6072/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），77W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS6B14NT1G
  仓库库存编号：NTMFS6B14NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS6B14NT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 54mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VP0550N3-G-P013
  仓库库存编号：VP0550N3-G-P013-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4451DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4451DY-T1-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4451DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4451DY-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA4N80P
  仓库库存编号：IXTA4N80P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF190N60_F152
  仓库库存编号：FCPF190N60_F152-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7788DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7788DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7788DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4390DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4390DY-T1-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4390DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4390DY-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP5N60P
  仓库库存编号：IXTP5N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP5N50PM
  仓库库存编号：IXFP5N50PM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V ITO-220A
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 41W（Tc） ITO-220AB
  
  型号：DMN80H2D0SCTI
  仓库库存编号：DMN80H2D0SCTI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP12N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP12N60E-E3-ND
  别名：SIHP12N60EE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 20A 600V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2006-M3/51
  仓库库存编号：BU2006-M3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 20A 800V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 20A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2008-M3/51
  仓库库存编号：BU2008-M3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 20A 1000V BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 20A Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU2010-M3/51
  仓库库存编号：BU2010-M3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 50V 15A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 15A Through Hole GBU
  
  型号：GBU15005-G
  仓库库存编号：641-1369-5-ND
  别名：641-1369-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 400V 15A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 15A Through Hole GBU
  
  型号：GBU1504-G
  仓库库存编号：641-1370-5-ND
  别名：641-1370-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2506-G
  仓库库存编号：GBJ2506-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2506-G-03
  仓库库存编号：GBJ2506-G-03-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2506-G-04
  仓库库存编号：GBJ2506-G-04-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2506-G-05
  仓库库存编号：GBJ2506-G-05-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 25A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2506-G-06
  仓库库存编号：GBJ2506-G-06-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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