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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.75W（Ta），74W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD20N03L27T4G
  仓库库存编号：NTD20N03L27T4GOSCT-ND
  别名：NTD20N03L27T4GOS
  NTD20N03L27T4GOS-ND
  NTD20N03L27T4GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 342VWM 548VC SMD
  
  型号：1.5SMC400A
  仓库库存编号：1.5SMC400ACT-ND
  别名：1.5SMC400ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 486VWM 740VC SMD
  
  型号：1.5SMC540A
  仓库库存编号：1.5SMC540ACT-ND
  别名：1.5SMC540ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7416TRPBF
  仓库库存编号：IRF7416TRPBFCT-ND
  别名：IRF7416TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta），16.5A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS8622
  仓库库存编号：FDMS8622CT-ND
  别名：FDMS8622CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR310TRPBF
  仓库库存编号：IRFR310PBFCT-ND
  别名：*IRFR310TRPBF
  IRFR310PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 6-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA8051L
  仓库库存编号：FDMA8051LCT-ND
  别名：FDMA8051LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMP3015LSS-13
  仓库库存编号：DMP3015LSSDICT-ND
  别名：DMP3015LSSDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 40V 4.5A, 3.7A 1.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMHC4035LSD-13
  仓库库存编号：DMHC4035LSD-13DICT-ND
  别名：DMHC4035LSD-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60CTM
  仓库库存编号：FQD2N60CTMCT-ND
  别名：FQD2N60CTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8734TRPBF
  仓库库存编号：IRF8734TRPBFCT-ND
  别名：IRF8734TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9110TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9110PBFCT-ND
  别名：*IRFR9110TRPBF
  IRFR9110PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 180V 0.5A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 180V 500mA 70MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT696BTA
  仓库库存编号：FZT696BCT-ND
  别名：FZT696B
  FZT696BCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 140V 0.5A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 500mA 100MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT795ATA
  仓库库存编号：FZT795ACT-ND
  别名：FZT795A
  FZT795ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 70V 2A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 70V 2A 160MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT792ATA
  仓库库存编号：FZT792ACT-ND
  别名：FZT792A
  FZT792ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240mA（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZVN4525ZTA
  仓库库存编号：ZVN4525ZCT-ND
  别名：ZVN4525ZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN0545GTA
  仓库库存编号：ZVN0545GCT-ND
  别名：ZVN0545G
  ZVN0545GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 4.5W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA12DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA12DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA12DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7341TRPBF
  仓库库存编号：IRF7341PBFCT-ND
  别名：*IRF7341TRPBF
  IRF7341PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 30MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT757TA
  仓库库存编号：FZT757CT-ND
  别名：FZT757
  FZT757CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 100V 2A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 140MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT753TA
  仓库库存编号：FZT753CT-ND
  别名：FZT753
  FZT753CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD86102LZ
  仓库库存编号：FDD86102LZFSCT-ND
  别名：FDD86102LZFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2106N3-G
  仓库库存编号：VN2106N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：2N7000-G
  仓库库存编号：2N7000-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ086P03NS3E G
  仓库库存编号：BSZ086P03NS3E GCT-ND
  别名：BSZ086P03NS3E GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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