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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 25A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.5A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU2508-E3/51
仓库库存编号：
BU2508-E3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1000V 25A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.5A Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU2510-E3/51
仓库库存编号：
BU2510-E3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB12N60ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N60ET1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB12N60ET5-GE3
仓库库存编号：
SIHB12N60ET5-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
Micro Commercial Co
TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington Through Hole TO-220
型号：
TIP122-BP
仓库库存编号：
TIP122-BP-ND
别名：TIP122BP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号：
SI6975DQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6975DQ-T1-E3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY3N60P
仓库库存编号：
IXTY3N60P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA6N50P
仓库库存编号：
IXTA6N50P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 600V 12A BU-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 12A Through Hole isoCINK+? BU-5S
型号：
BU12065S-M3/45
仓库库存编号：
BU12065S-M3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 12A BU-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 12A Through Hole isoCINK+? BU-5S
型号：
BU12085S-M3/45
仓库库存编号：
BU12085S-M3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 12A Through Hole isoCINK+? BU-5S
型号：
BU12105S-M3/45
仓库库存编号：
BU12105S-M3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 20W TO220FP
详细描述：IGBT Through Hole TO-220FP
型号：
STGF6NC60HD
仓库库存编号：
497-5116-5-ND
别名：497-5116-5
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB15S60L
仓库库存编号：
785-1261-2-ND
别名：785-1261-2
AOB15S60
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 18VWM 32.2VC SMCJ
型号：
SMLJ18CE3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ18CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 18VWM 32.2VC SMCJ
型号：
SMLJ18E3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ18E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 190VWM SMCJ
型号：
SMLJ190AE3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ190AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 190VWM SMCJ
型号：
SMLJ190CAE3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ190CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 190VWM SMCJ
型号：
SMLJ190CE3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ190CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 190VWM SMCJ
型号：
SMLJ190E3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ190E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 200VWM SMCJ
型号：
SMLJ200AE3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ200AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 200VWM SMCJ
型号：
SMLJ200CAE3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ200CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 200VWM SMCJ
型号：
SMLJ200CE3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ200CE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 200VWM SMCJ
型号：
SMLJ200E3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ200E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMCJ
型号：
SMLJ20AE3/TR13
仓库库存编号：
SMLJ20AE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMCJ
型号：
SMLJ20CAE3/TR13
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SMLJ20CAE3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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