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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7636DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7636DP-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 20V 2.5A 140MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
型号：
ZHB6718TA
仓库库存编号：
ZHB6718CT-ND
别名：ZHB6718
ZHB6718CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 300V 46.8W TO220F
详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-220F
型号：
FGPF50N30TTU
仓库库存编号：
FGPF50N30TTU-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 142W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N70
仓库库存编号：
FQP6N70-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 30VC SO16
型号：
SM1615E3/TR13
仓库库存编号：
SM1615E3MSTR-ND
别名：SM1615
SM1615E3MSTR
SM1615MSTR
SM1615MSTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC SO16
型号：
SM1624E3/TR13
仓库库存编号：
SM1624E3MSTR-ND
别名：SM1624
SM1624E3MSTR
SM1624MSTR
SM1624MSTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 16SOIC
型号：
SM1603E3/TR13
仓库库存编号：
SM1603E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 16SOIC
型号：
SM1612E3/TR13
仓库库存编号：
SM1612E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 15A 600V GSIB5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3.5A Through Hole GSIB-5S
型号：
GSIB1560\45
仓库库存编号：
GSIB1560\45-ND
别名：GSIB1560
GSIB1560-ND
GSIB1560/45
GSIB1560/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 94.5A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH4840S,115
仓库库存编号：
1727-3053-1-ND
别名：1727-3053-1
568-2180-1
568-2180-1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号：
SMDA03C-4-2E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA03C-4-2E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号：
SMDA03C-5E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA03C-5E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号：
SMDA05C-4-2E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA05C-4-2E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号：
SMDA05C-5E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA05C-5E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
型号：
SMDA12C-4-2E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA12C-4-2E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
型号：
SMDA12C-5E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA12C-5E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
型号：
SMDA15C-4-2E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA15C-4-2E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
型号：
SMDA15C-5E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA15C-5E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
型号：
SMDA24C-4-2E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA24C-4-2E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
型号：
SMDA24C-5E3/TR7
仓库库存编号：
SMDA24C-5E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC
型号：
USB50803C-AE3/TR7
仓库库存编号：
USB50803C-AE3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC
型号：
USB50803CE3/TR7
仓库库存编号：
USB50803CE3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 11VC 8SOIC
型号：
USB50803E3/TR7
仓库库存编号：
USB50803E3/TR7-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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TVS DIODE 5VWM 13VC 8SOIC
型号：
USB50805C-AE3/TR7
仓库库存编号：
USB50805C-AE3/TR7-ND
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 26VC 8SOIC
型号：
USB50812C-AE3/TR7
仓库库存编号：
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