规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
TVS DIODE 85VWM 137VC R6
型号:
5KP85CA-G
仓库库存编号:
5KP85CA-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 9VWM 15.4VC R6
型号:
5KP9.0A-G
仓库库存编号:
5KP9.0A-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 9VWM 15.4VC R6
型号:
5KP9.0CA-G
仓库库存编号:
5KP9.0CA-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 90VWM 146VC R6
型号:
5KP90A-G
仓库库存编号:
5KP90A-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Comchip Technology
TVS DIODE 90VWM 146VC R6
型号:
5KP90CA-G
仓库库存编号:
5KP90CA-G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号:
SMDA03CE3/TR13
仓库库存编号:
SMDA03CE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号:
SMDA05CE3/TR13
仓库库存编号:
SMDA05CE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 19VC 8SOIC
型号:
SMDA12CE3/TR13
仓库库存编号:
SMDA12CE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 24VC 8SOIC
型号:
SMDA15CE3/TR13
仓库库存编号:
SMDA15CE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 43VC 8SOIC
型号:
SMDA24CE3/TR13
仓库库存编号:
SMDA24CE3/TR13-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
型号:
NTLLD4951NFTWG
仓库库存编号:
NTLLD4951NFTWG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 24W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K0P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K0P7AKMA1-ND
别名:SP001634912
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 24W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R2K0P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R2K0P7AKMA1-ND
别名:SP001634926
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
AOT15S60L
仓库库存编号:
785-1267-5-ND
别名:785-1267-5
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 15A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) TO-262
型号:
AOW15S60
仓库库存编号:
AOW15S60-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 15A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 27.8W(Tc)
型号:
AOWF15S60
仓库库存编号:
AOWF15S60-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) ITO-220AB
型号:
DMN90H2D2HCTI
仓库库存编号:
DMN90H2D2HCTI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Comchip Technology
RECT BRIDGE CELL 50V 25A KBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 3.6A Through Hole KBU
型号:
KBU25005-G
仓库库存编号:
641-1360-ND
别名:641-1360
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 70W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA3N50P
仓库库存编号:
IXTA3N50P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 70W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA2N80P
仓库库存编号:
IXTA2N80P-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE882DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE882DF-T1-GE3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 15A BU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号:
BU1508-E3/45
仓库库存编号:
BU1508-E3/45-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1000V 15A BU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU
型号:
BU1510-E3/45
仓库库存编号:
BU1510-E3/45-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 15A,
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole TS-6P
型号:
TS15P01G C2G
仓库库存编号:
TS15P01G C2G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 15A,
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V Through Hole TS-6P
型号:
TS15P01G D2G
仓库库存编号:
TS15P01G D2G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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