以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5656A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5656A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5657A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5657A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 94VWM 152VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5658A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5658A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 102VWM 165VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5659A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5659A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5660A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5660A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 128VWM 207VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5661A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5661A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 136VWM 219VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5662A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5662A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 145VWM 234VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5663A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5663A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 154VWM 246VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5664A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5664A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AB
  
  型号：SMCJ5665A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ5665A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.231A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 231mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TP2435N8-G
  仓库库存编号：TP2435N8-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU-5S
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3.4A Through Hole isoCINK+? BU-5S
  
  型号：BU12105S-E3/45
  仓库库存编号：BU12105S-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMG7N65SCT
  仓库库存编号：DMG7N65SCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7170DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7170DP-T1-GE3TR-ND
  别名：SI7170DP-T1-GE3TR
  SI7170DPT1GE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7104DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7104DN-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8401DB-T1-E3
  仓库库存编号：SI8401DB-T1-E3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 500V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHFS11N50A-GE3
  仓库库存编号：SIHFS11N50A-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF7N60E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 54A（Tc） 30W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC013P030Z
  仓库库存编号：FDMC013P030Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHFS9N60A-GE3
  仓库库存编号：SIHFS9N60A-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 150V Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：TC6215TG-G
  仓库库存编号：TC6215TG-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 208W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI11S60
  仓库库存编号：AOI11S60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMN95H8D5HCT
  仓库库存编号：DMN95H8D5HCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2540N3-G-P002
  仓库库存编号：TP2540N3-G-P002-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 211A 8-VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 211A (Tc) 139W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD18512Q5BT
  仓库库存编号：CSD18512Q5BT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索