规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 145VWM 245VC SMCJ
型号：
SMCJ6068A/TR13
仓库库存编号：
SMCJ6068A/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 150VWM 261VC SMCJ
型号：
SMCJ6069A/TR13
仓库库存编号：
SMCJ6069A/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 160VWM 278VC SMCJ
型号：
SMCJ6070A/TR13
仓库库存编号：
SMCJ6070A/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 170VWM 294VC SMCJ
型号：
SMCJ6071A/TR13
仓库库存编号：
SMCJ6071A/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
TVS DIODE 185VWM 328VC SMCJ
型号：
SMCJ6072A/TR13
仓库库存编号：
SMCJ6072A/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD224
仓库库存编号：
IRFD224-ND
别名：*IRFD224
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF11S60
仓库库存编号：
AOTF11S60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 178W（Tc） TO-262
型号：
AOW11S60
仓库库存编号：
AOW11S60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 28W（Tc）
型号：
AOWF11S60
仓库库存编号：
AOWF11S60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF11S60L
仓库库存编号：
AOTF11S60L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 278W（Tc） TO-220
型号：
AOT11C60L
仓库库存编号：
AOT11C60L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710STRLPBF
仓库库存编号：
IRF710STRLPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7110DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7110DN-T1-GE3TR-ND
别名：SI7110DN-T1-GE3TR
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4626ADY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4626ADY-T1-E3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4626ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4626ADY-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4966DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4966DY-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7104DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7104DN-T1-E3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 5.2W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7370ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7370ADP-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号：
SMDA03-6E3/TR13
仓库库存编号：
SMDA03-6E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 5VWM 11VC 8SOIC
型号：
SMDA05-6E3/TR13
仓库库存编号：
SMDA05-6E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
型号：
SMDA12-6E3/TR13
仓库库存编号：
SMDA12-6E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
型号：
SMDA15-6E3/TR13
仓库库存编号：
SMDA15-6E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
型号：
SMDA24-6E3/TR13
仓库库存编号：
SMDA24-6E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
型号：
IRFD113PBF
仓库库存编号：
IRFD113PBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE 28VWM 49VC DO214AB
型号：
STIEC45-28AS
仓库库存编号：
497-10632-1-ND
别名：497-10632-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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