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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 1.79W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7726TRPBF
  仓库库存编号：IRF7726TRPBFCT-ND
  别名：IRF7726TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TVS DIODE 171VWM 353VC SMC
  
  型号：SM15T200CA
  仓库库存编号：497-6483-1-ND
  别名：497-6483-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Ta），58A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC050NE2LS
  仓库库存编号：BSC050NE2LSCT-ND
  别名：BSC050NE2LSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS9431A
  仓库库存编号：FDS9431ACT-ND
  别名：FDS9431ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD1600N10ALZ
  仓库库存编号：FDD1600N10ALZCT-ND
  别名：FDD1600N10ALZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），79A（Tc） 850mW（Ta），43W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4932NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4932NTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4932NTAGOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD17507Q5A
  仓库库存编号：296-27791-1-ND
  别名：296-27791-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7303TRPBF
  仓库库存编号：IRF7303PBFCT-ND
  别名：*IRF7303TRPBF
  IRF7303PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4174DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4174DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4174DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN6A08GTA
  仓库库存编号：ZXMN6A08GCT-ND
  别名：ZXMN6A08GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP295H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP295H6327XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.6W（Ta） 8-SON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD17551Q3A
  仓库库存编号：296-35025-1-ND
  别名：296-35025-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 40.2VWM DO-214AB
  
  型号：TPSMC47CA
  仓库库存编号：F6542CT-ND
  别名：F6542CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO-214AB
  
  型号：TPSMC68A
  仓库库存编号：F6549CT-ND
  别名：F6549CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6930B
  仓库库存编号：FDS6930BCT-ND
  别名：FDS6930BCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC050N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC050N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC050N03LSGINCT
  BSC050N03LSGINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N06LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC100N06LS3 GCT
  BSC100N06LS3 GCT-ND
  BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8958B
  仓库库存编号：FDS8958BCT-ND
  别名：FDS8958BCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8978
  仓库库存编号：FDS8978CT-ND
  别名：FDS8978CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6318P
  仓库库存编号：FDC6318PCT-ND
  别名：FDC6318PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 820mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C08NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C08NTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4C08NTAGOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7619DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7619DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7619DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN3A03E6TA
  仓库库存编号：ZXMN3A03E6CT-ND
  别名：ZXMN3A03E6CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5406CDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5406CDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5406CDC-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 3.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR836DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR836DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR836DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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