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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7872DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7872DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7872DP-T1-E3TR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7872DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7872DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7872DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6413DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6413DQ-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF11N60
  仓库库存编号：FCPF11N60-ND
  别名：FCPF11N60_NL
  FCPF11N60_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16570Q5B
  仓库库存编号：CSD16570Q5B-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 6A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6K-E3/45
  仓库库存编号：GBU6K-E3/45GI-ND
  别名：GBU6K
  GBU6K-E3/45-ND
  GBU6K-ND
  GBU6K/45
  GBU6K/45-ND
  GBU6KE345
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 6A 100V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6B-E3/45
  仓库库存编号：GBU6B-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 6A 150V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 150V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6C-E3/45
  仓库库存编号：GBU6C-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 6A 400V GPP INLINE GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU6G-E3/45
  仓库库存编号：GBU6G-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 6A 1000V GPP INLINE
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU6M-E3/45
  仓库库存编号：GBU6M-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0620N3-G-P002
  仓库库存编号：TN0620N3-G-P002-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0620N3-G-P014
  仓库库存编号：TN0620N3-G-P014-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 220V 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TP2522N8-G
  仓库库存编号：TP2522N8-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE CELL 50V 10A KBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole KBU
  
  型号：KBU10005-G
  仓库库存编号：641-1357-ND
  别名：641-1357
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 8A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU808-G
  仓库库存编号：GBU808-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECTIFIER BRIDGE 8A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU810-G
  仓库库存编号：GBU810-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 8A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU8K-M3/45
  仓库库存编号：GBU8K-M3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT GPP 8A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU8M-M3/45
  仓库库存编号：GBU8M-M3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 6VWM 11.3VC SMCJ
  
  型号：SMCJ6036A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ6036A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 7VWM 12.1VC SMCJ
  
  型号：SMCJ6037A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ6037A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 7.5VWM 13.4VC SMCJ
  
  型号：SMCJ6038A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ6038A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 8.5VWM 14.5VC SMCJ
  
  型号：SMCJ6039A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ6039A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 9VWM 15.6VC SMCJ
  
  型号：SMCJ6040A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ6040A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 10VWM 16.7VC SMCJ
  
  型号：SMCJ6041A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ6041A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMCJ
  
  型号：SMCJ6042A/TR13
  仓库库存编号：SMCJ6042A/TR13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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