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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 15A 200V GSIB-5S
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GSIB-5S
型号：
GSIB1520-E3/45
仓库库存编号：
GSIB1520-E3/45-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 3VWM 10.9VC SMD
型号：
CDNBS08-T03
仓库库存编号：
CDNBS08-T03-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 5VWM 13.5VC SMD
型号：
CDNBS08-T05
仓库库存编号：
CDNBS08-T05-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 15VWM 30VC SMD
型号：
CDNBS08-T15
仓库库存编号：
CDNBS08-T15-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 36VWM 76.8VC SMD
型号：
CDNBS08-T36
仓库库存编号：
CDNBS08-T36-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
型号：
SI4884BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4884BDY-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） I-Pak
型号：
SIHU7N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHU7N60E-GE3-ND
别名：SIHU7N60EGE3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），246A（Tc） 950mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4931NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4931NT1G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V TO262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 104W（Tc） TO-262
型号：
AOW296
仓库库存编号：
AOW296-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） 147W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB10N40D-GE3
仓库库存编号：
SIHB10N40D-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R750P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R750P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R750P7ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_NEW
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R280P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R280P7ATMA1CT-ND
别名：IPD60R280P7ATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.25A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 250mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
VN2450N8-G
仓库库存编号：
VN2450N8-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 84A（Ta），200A（Tc） 7.3W（Ta），208W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6560
仓库库存编号：
AON6560-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
型号：
ATV50C101J-HF
仓库库存编号：
ATV50C101J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB
型号：
ATV50C111J-HF
仓库库存编号：
ATV50C111J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AB
型号：
ATV50C121J-HF
仓库库存编号：
ATV50C121J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 130VWM 209VC DO214AB
型号：
ATV50C131J-HF
仓库库存编号：
ATV50C131J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 140VWM 226.8VC DO214AB
型号：
ATV50C141J-HF
仓库库存编号：
ATV50C141J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AB
型号：
ATV50C151J-HF
仓库库存编号：
ATV50C151J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AB
型号：
ATV50C161J-HF
仓库库存编号：
ATV50C161J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB
型号：
ATV50C171J-HF
仓库库存编号：
ATV50C171J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 180VWM 291.6VC DO214AB
型号：
ATV50C181J-HF
仓库库存编号：
ATV50C181J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
TVS DIODE 190VWM 307.8VC DO214AB
型号：
ATV50C191J-HF
仓库库存编号：
ATV50C191J-HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Comchip Technology
TVS DIODE 200VWM 324VC DO214AB
型号：
ATV50C201J-HF
仓库库存编号：
ATV50C201J-HF-ND
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