规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 6A 50V INLINE 4SIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
型号：
GBU6A-M3/51
仓库库存编号：
GBU6A-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 8A 50V INLINE
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
型号：
GBU8A-M3/51
仓库库存编号：
GBU8A-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 6A 100V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
型号：
GBU6B-M3/51
仓库库存编号：
GBU6B-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 6A 200V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
型号：
GBU6D-M3/51
仓库库存编号：
GBU6D-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 6A 400V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
型号：
GBU6G-M3/51
仓库库存编号：
GBU6G-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 6A 600V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
型号：
GBU6J-M3/51
仓库库存编号：
GBU6J-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 6A 800V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
型号：
GBU6K-M3/51
仓库库存编号：
GBU6K-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 6A 1000V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
型号：
GBU6M-M3/51
仓库库存编号：
GBU6M-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 8A 100V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
型号：
GBU8B-M3/51
仓库库存编号：
GBU8B-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 8A 200V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
型号：
GBU8D-M3/51
仓库库存编号：
GBU8D-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 8A 400V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
型号：
GBU8G-M3/51
仓库库存编号：
GBU8G-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE RECT GPP 8A 600V GBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
型号：
GBU8J-M3/51
仓库库存编号：
GBU8J-M3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC
型号：
SMDA03C-4E3/TR13
仓库库存编号：
SMDA03C-4E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 12VWM 24VC 8SOIC
型号：
SMDA12C-4E3/TR13
仓库库存编号：
SMDA12C-4E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 15VWM 30VC 8SOIC
型号：
SMDA15C-4E3/TR13
仓库库存编号：
SMDA15C-4E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
TVS DIODE 24VWM 55VC 8SOIC
型号：
SMDA24C-4E3/TR13
仓库库存编号：
SMDA24C-4E3/TR13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
型号：
GBU605HD2G
仓库库存编号：
GBU605HD2G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
型号：
GBU606HD2G
仓库库存编号：
GBU606HD2G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 6A,
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
型号：
GBU607HD2G
仓库库存编号：
GBU607HD2G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1006-E3/51
仓库库存编号：
BU1006-E3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1008-E3/51
仓库库存编号：
BU1008-E3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1000V 12A BU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole isoCINK+? BU
型号：
BU1210-E3/51
仓库库存编号：
BU1210-E3/51-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 700mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
TN0604N3-G-P005
仓库库存编号：
TN0604N3-G-P005-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 700mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
型号：
TN0604N3-G-P013
仓库库存编号：
TN0604N3-G-P013-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 25W（Tc）
型号：
AOWF7S60
仓库库存编号：
AOWF7S60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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