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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.9A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4963BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4963BDY-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号：
SI6975DQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6975DQ-T1-GE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 2.3W PowerDI5060-8
型号：
DMT6002LPS-13
仓库库存编号：
DMT6002LPS-13-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 25W（Tc）
型号：
AOWF7S65
仓库库存编号：
785-1531-5-ND
别名：AOWF7S65-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0610N3-G-P003
仓库库存编号：
TN0610N3-G-P003-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0610N3-G-P013
仓库库存编号：
TN0610N3-G-P013-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 890mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TN2504N8-G
仓库库存编号：
TN2504N8-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N80C
仓库库存编号：
FQP6N80C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
BRIDGE RECTIFIER GBL
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBL
型号：
GBL410_HF
仓库库存编号：
GBL410_HF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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IXYS Integrated Circuits Division
IC GATE DVR 4A DUAL HS 8DFN
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DFN-EP (5x4)
型号：
IXDD604D2TR
仓库库存编号：
IXDD604D2TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
型号：
IXDD604SIATR
仓库库存编号：
IXDD604SIATR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
型号：
IXDF604SIATR
仓库库存编号：
IXDF604SIATR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
型号：
IXDI604SIATR
仓库库存编号：
IXDI604SIATR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
型号：
IXDN604SIATR
仓库库存编号：
IXDN604SIATR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 700V 9A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 9A（Tc） 236W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB9N70L
仓库库存编号：
785-1719-1-ND
别名：785-1719-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA00DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA00DP-T1-RE3-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.3A（Tc） 104W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG3N60SCT
仓库库存编号：
DMG3N60SCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 100V 10A KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole KBU
型号：
KBU1001
仓库库存编号：
KBU1001GN-ND
别名：KBU1001GN
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 10A KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole KBU
型号：
KBU1002
仓库库存编号：
KBU1002GN-ND
别名：KBU1002GN
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 10A KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole KBU
型号：
KBU1004
仓库库存编号：
KBU1004GN-ND
别名：KBU1004GN
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 10A KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBU
型号：
KBU1006
仓库库存编号：
KBU1006GN-ND
别名：KBU1006GN
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 10A KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole KBU
型号：
KBU1008
仓库库存编号：
KBU1008GN-ND
别名：KBU1008GN
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 10A KBU
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBU
型号：
KBU1010
仓库库存编号：
KBU1010GN-ND
别名：KBU1010GN
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
PWR LOW SAT TRANSISTOR TO252
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 120MHz 2.1W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
型号：
ZXT951KQTC
仓库库存编号：
ZXT951KQTC-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7758DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7758DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7758DP-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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