以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 10A BR-10
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole BR-10
  
  型号：BR1010
  仓库库存编号：BR1010GN-ND
  别名：BR1010GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 10A BR-10
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole BR-10
  
  型号：BR102
  仓库库存编号：BR102GN-ND
  别名：BR102GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 10A BR-10
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole BR-10
  
  型号：BR104
  仓库库存编号：BR104GN-ND
  别名：BR104GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 10A BR-10
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole BR-10
  
  型号：BR106
  仓库库存编号：BR106GN-ND
  别名：BR106GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 10A BR-10
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole BR-10
  
  型号：BR108
  仓库库存编号：BR108GN-ND
  别名：BR108GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBU
  
  型号：GBU10A
  仓库库存编号：GBU10AGN-ND
  别名：GBU10AGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole GBU
  
  型号：GBU10B
  仓库库存编号：GBU10BGN-ND
  别名：GBU10BGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 400V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU
  
  型号：GBU10G
  仓库库存编号：GBU10GGN-ND
  别名：GBU10GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：GBU10J
  仓库库存编号：GBU10JGN-ND
  别名：GBU10JGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：GBU10K
  仓库库存编号：GBU10KGN-ND
  别名：GBU10KGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 10A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBU
  
  型号：GBU10M
  仓库库存编号：GBU10MGN-ND
  别名：GBU10MGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 600V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ406G
  仓库库存编号：KBJ406GGN-ND
  别名：KBJ406GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 800V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ408G
  仓库库存编号：KBJ408GGN-ND
  别名：KBJ408GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBJ
  
  型号：KBJ410G
  仓库库存编号：KBJ410GGN-ND
  别名：KBJ410GGN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 2.7A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9214PBF
  仓库库存编号：IRFU9214PBF-ND
  别名：*IRFU9214PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFR1N60ATRLPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 12A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW12N65
  仓库库存编号：AOW12N65-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Ta） 2.5W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6004SPS-13
  仓库库存编号：DMT6004SPS-13-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.8A（Ta） 10.1W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：ZXMN6A09KQTC
  仓库库存编号：ZXMN6A09KQTC-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR800DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR800DP-T1-RE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 71A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 71A（Ta），200A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6522
  仓库库存编号：785-1497-1-ND
  别名：785-1497-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6A（Tc） 45W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R900P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R900P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R900P7ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Bourns Inc.
  TVS DIODE 12VWM 25.9VC SMD
  
  型号：CDNBS08-SRDA12-4
  仓库库存编号：CDNBS08-SRDA12-4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Bourns Inc.
  TVS DIODE 15VWM 30VC SMD
  
  型号：CDNBS08-SRDA15-4
  仓库库存编号：CDNBS08-SRDA15-4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 8.2A（Tc） 94W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD60N550U1T4G
  仓库库存编号：NDD60N550U1T4G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索