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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N60CTM_WS
  仓库库存编号：FQD6N60CTM_WS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：HUFA76407DK8T_F085
  仓库库存编号：HUFA76407DK8T_F085-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N60FD
  仓库库存编号：AOT12N60FD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF12N60FD
  仓库库存编号：AOTF12N60FD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 650V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF12N65
  仓库库存编号：AOTF12N65-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 14A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 278W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW14N50
  仓库库存编号：AOW14N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 14A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF14N50
  仓库库存编号：AOWF14N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），246A（Tc） 950mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4931NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4931NT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBL
  
  型号：GBL08HD2G
  仓库库存编号：GBL08HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 4A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBL
  
  型号：GBL10HD2G
  仓库库存编号：GBL10HD2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta），52A（Tc） 850mW（Ta），29.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4939NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4939NTWG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta），46A（Tc） 840mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4941NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4941NTWG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 620V 6A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU6N62E-GE3
  仓库库存编号：SIHU6N62E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TRRPBF
  仓库库存编号：IRLR120TRRPBF-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4384DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4384DY-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7214DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7214DN-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 24A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7218DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7218DN-T1-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 100V 5A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 5A 1.7W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6850
  仓库库存编号：AON6850-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 6A 200V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU
  
  型号：G5SBA20-M3/51
  仓库库存编号：G5SBA20-M3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 6A 600V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole GBU
  
  型号：G5SBA60-M3/51
  仓库库存编号：G5SBA60-M3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1PH 6A 800V
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
  
  型号：G5SBA80-M3/51
  仓库库存编号：G5SBA80-M3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1006A-E3/51
  仓库库存编号：BU1006A-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 10A BU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole isoCINK+? BU
  
  型号：BU1008A-E3/51
  仓库库存编号：BU1008A-E3/51-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 50V 10A BR-10
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole BR-10
  
  型号：BR1005
  仓库库存编号：BR1005GN-ND
  别名：BR1005GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 100V 10A BR-10
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Through Hole BR-10
  
  型号：BR101
  仓库库存编号：BR101GN-ND
  别名：BR101GN
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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