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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.4A, 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7507TRPBF
  仓库库存编号：IRF7507TRPBFCT-ND
  别名：IRF7507TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD7N20TM
  仓库库存编号：FDD7N20TMCT-ND
  别名：FDD7N20TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.1A 1.1W Surface Mount ChipFET?
  
  型号：NTHD3102CT1G
  仓库库存编号：NTHD3102CT1GOSCT-ND
  别名：NTHD3102CT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 25V 3A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 3A 240MHz 2W Surface Mount SOT-223-4
  
  型号：FZT649TA
  仓库库存编号：FZT649CT-ND
  别名：FZT649
  FZT649CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 900mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：SSN1N45BTA
  仓库库存编号：SSN1N45BTACT-ND
  别名：SSN1N45BTACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB
  
  型号：SMBJ5.0AHE3/52
  仓库库存编号：SMBJ5.0AHE3/52GICT-ND
  别名：SMBJ5.0AHE3/52GICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC093N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC093N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC093N04LS GCT
  BSC093N04LS GCT-ND
  BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7509TRPBF
  仓库库存编号：IRF7509TRPBFCT-ND
  别名：IRF7509TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL110TRPBF
  仓库库存编号：IRFL110PBFCT-ND
  别名：*IRFL110TRPBF
  IRFL110PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL014TRPBF
  仓库库存编号：IRFL014PBFCT-ND
  别名：*IRFL014TRPBF
  IRFL014PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4310TRPBF
  仓库库存编号：IRFL4310TRPBFCT-ND
  别名：IRFL4310TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GP 600V 0.5A MINIDIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 500mA Surface Mount 4-MiniDIP
  
  型号：RH06-T
  仓库库存编号：RH06DICT-ND
  别名：RH06
  RH06DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BS250FTA
  仓库库存编号：BS250FCT-ND
  别名：BS250F
  BS250FCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1499DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1499DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1499DH-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.57W（Ta），26.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA14DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA14DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA14DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 7.6A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.6A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP2023UFDF-7
  仓库库存编号：DMP2023UFDF-7DICT-ND
  别名：DMP2023UFDF-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT13N06LTF
  仓库库存编号：FQT13N06LTFCT-ND
  别名：FQT13N06LTFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N10LTM
  仓库库存编号：FQD13N10LTMCT-ND
  别名：FQD13N10LTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3.5W（Ta），19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA466EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA466EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA466EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 12VWM 28.3VC SMD
  
  型号：CDSOD323-T12
  仓库库存编号：CDSOD323-T12CT-ND
  别名：CDSOD323-T12CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 12VWM 28.3VC SMD
  
  型号：CDSOD323-T12
  仓库库存编号：CDSOD323-T12DKR-ND
  别名：CDSOD323-T12DKR
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.5A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP2006UFG-7
  仓库库存编号：DMP2006UFG-7DICT-ND
  别名：DMP2006UFG-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4818B
  仓库库存编号：785-1059-1-ND
  别名：785-1059-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2.08W（Ta），2.97W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3493BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3493BDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3493BDV-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4800BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4800BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4800BDY-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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