规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343PBF
仓库库存编号:
IRLR4343PBF-ND
别名:*IRLR4343PBF
SP001558486
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) TO-220-5
型号:
BTS247Z E3062A
仓库库存编号:
BTS247Z E3062A-ND
别名:BTS247ZE3062AATMA1
BTS247ZE3062ANT
BTS247ZE3062AT
BTS247ZE3062AT-ND
SP000012187
SP000399010
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 35A(Tc) 170W(Tc) PG-TO220-5-3
型号:
BTS244ZNKSA1
仓库库存编号:
BTS244ZNKSA1-ND
别名:BTS244Z
BTS244Z-ND
BTS244ZNK
SP000012177
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 35A(Tc) 170W(Tc) P-TO220-5
型号:
BTS244Z E3043
仓库库存编号:
BTS244Z E3043-ND
别名:BTS244ZE3043
BTS244ZE3043AKSA1
BTS244ZE3043NK
SP000012178
SP000399006
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 35A(Tc) 170W(Tc) PG-TO220-5-62
型号:
BTS244Z E3062A
仓库库存编号:
BTS244Z E3062A-ND
别名:BTS244ZE3062AATMA1
BTS244ZE3062ANT
BTS244ZE3062AT
SP000012180
SP000399004
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) PG-TO220-5-3
型号:
BTS247ZAKSA1
仓库库存编号:
BTS247ZAKSA1-ND
别名:BTS247Z
BTS247Z-ND
BTS247ZNK
SP000012184
SP000468058
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 120W(Tc) P-TO220-5
型号:
BTS247ZE3043AKSA1
仓库库存编号:
BTS247ZE3043AKSA1-ND
别名:BTS247Z E3043
BTS247Z E3043-ND
BTS247ZE3043
BTS247ZE3043NK
SP000012185
SP000399008
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述:通孔 N 沟道 49V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-7
型号:
BTS282ZAKSA1
仓库库存编号:
BTS282ZAKSA1-ND
别名:BTS282Z
BTS282Z-ND
BTS282ZXK
SP000399016
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述:通孔 N 沟道 49V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-7-230
型号:
BTS282Z E3230
仓库库存编号:
BTS282Z E3230-ND
别名:BTS282ZE3230
BTS282ZE3230AKSA1
BTS282ZE3230NK
SP000012357
SP000457996
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 150V 78A(Tc) 310W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4228PBF
仓库库存编号:
IRFP4228PBF-ND
别名:SP001575766
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 83A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4228PBF
仓库库存编号:
IRFSL4228PBF-ND
别名:SP001567954
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR4343-701PBF-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 20A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR9343-701PBF
仓库库存编号:
IRLR9343-701PBF-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRRPBF-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 62A(Tc) 330W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4227PBF
仓库库存编号:
IRFSL4227PBF-ND
别名:SP001576148
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 230V 56A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4233PBF
仓库库存编号:
IRFB4233PBF-ND
别名:SP001577810
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 46A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 300V 46A(Tc) 430W(Tc) TO-247AC
型号:
64-6006PBF
仓库库存编号:
64-6006PBF-ND
别名:IRFP4242PBF
IRFP4242PBF-ND
SP001519088
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR4343TRPBF
仓库库存编号:
IRLR4343TRPBF-ND
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD04N60R
仓库库存编号:
IKD04N60RINCT-ND
别名:IKD04N60RINCT
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD06N60R
仓库库存编号:
IKD06N60RINCT-ND
别名:IKD06N60RINCT
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD10N60R
仓库库存编号:
IKD10N60RINCT-ND
别名:IKD10N60RINCT
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 88W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 12A 88W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IHD06N60RA
仓库库存编号:
IHD06N60RA-ND
别名:IHD06N60RABUMA1
SP000443672
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 110W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 110W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IHD10N60RA
仓库库存编号:
IHD10N60RA-ND
别名:IHD10N60RABUMA1
SP000443668
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 357W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW15N120R2
仓库库存编号:
IHW15N120R2-ND
别名:SP000212014
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A 330W TO247-3
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 40A 330W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW20N120R2
仓库库存编号:
IHW20N120R2-ND
别名:SP000212015
规格:工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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