规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500M OHM 1% 1/5W 0805
详细描述：±1% 0.2W，1/5W 厚膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0805FKC500M
仓库库存编号：
HVCB0805FKC500M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 0.5% 1/3W 1206
详细描述：±0.5% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206DKC1M00
仓库库存编号：
HVCB1206DKC1M00-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 250M OHM 1% 1/3W 1206
详细描述：±1% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206FKC250M
仓库库存编号：
HVCB1206FKC250M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 330M OHM 1% 1/3W 1206
详细描述：±1% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206FKC330M
仓库库存编号：
HVCB1206FKC330M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Texas Instruments
5.5 MHZ, HIGH SLEW RATE, LOW-NOI
详细描述：J-FET 放大器 电路 满摆幅 8-SOIC
型号：
OPA145ID
仓库库存编号：
296-47025-ND
别名：296-47025
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
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Bourns Inc.
RES 1.5 OHM 30W 1% TO220-2
详细描述：±1% 30W Through Hole Resistor TO-220-2 Automotive AEC-Q200, Current Sense, Pulse Withstanding Thick Film
型号：
PWR221T-30-1R50F
仓库库存编号：
PWR221T-30-1R50F-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 40.2K OHM 1% 1/3W 1206
详细描述：±1% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206FDL40K2
仓库库存编号：
HVCB1206FDL40K2-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 121M OHM 1% 0.06W 0603
详细描述：±1% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603（1608 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0603FKC121M
仓库库存编号：
HVCB0603FKC121M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 0.5% 1/3W 1206
详细描述：±0.5% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206DTC100M
仓库库存编号：
HVCB1206DTC100M-ND
别名：HVCB 1206 T2 100M 0.5% R
HVCB1206T2100M0.5%R
HVCB1206T2100M0.5%R-ND
HVCB1206T2100MDR
HVCB1206T2100MDR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 150M OHM 0.5% 1/3W 1206
详细描述：±0.5% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206DTC150M
仓库库存编号：
HVCB1206DTC150M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 22M OHM 1% 0.06W 0603
详细描述：±1% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603（1608 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0603FDD22M0
仓库库存编号：
HVCB0603FDD22M0-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2G OHM 5% 1/5W 0805
详细描述：±5% 0.2W，1/5W 厚膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0805JDD2G00
仓库库存编号：
HVCB0805JDD2G00-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 1% 1/5W 0805
详细描述：±1% 0.2W，1/5W 厚膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0805FDD100M
仓库库存编号：
HVCB0805FDD100M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1G OHM 1% 1/3W 1206
详细描述：±1% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206FKD1G00
仓库库存编号：
HVCB1206FKD1G00-ND
别名：HVCB 1206 T1 1G 1% I
HVCB1206T11G1%I
HVCB1206T11G1%I-ND
HVCB1206T11GFI
HVCB1206T11GFI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500K OHM 1% 1/3W 1206
详细描述：±1% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206FDC500K
仓库库存编号：
HVCB1206FDC500K-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 2M OHM 1% 1/3W 1206
详细描述：±1% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206FDC2M00
仓库库存编号：
HVCB1206FDC2M00-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 35W（Tc） TO-220F-3
型号：
FCPF165N65S3L1
仓库库存编号：
FCPF165N65S3L1-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 0.5% 1/3W 1206
详细描述：±0.5% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206DKC100M
仓库库存编号：
HVCB1206DKC100M-ND
别名：HVCB 1206 T2 100M 0.5% I
HVCB1206T2100M0.5%I
HVCB1206T2100M0.5%I-ND
HVCB1206T2100MDI
HVCB1206T2100MDI-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 500M OHM 1% 1/5W 0805
详细描述：±1% 0.2W，1/5W 厚膜 芯片电阻 0805（2012 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0805FDE500M
仓库库存编号：
HVCB0805FDE500MCT-ND
别名：HVCB0805FDE500MCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 200M OHM 0.5% 1/3W 1206
详细描述：±0.5% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206DKC200M
仓库库存编号：
HVCB1206DKC200M-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 61.9M OHM 1% 1/3W 1206
详细描述：±1% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206FDD61M9
仓库库存编号：
HVCB1206FDD61M9-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10G OHM 10% 1/3W 1206
详细描述：±10% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206KDL10G0
仓库库存编号：
HVCB1206KDL10G0-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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KEMET
CAP FILM 1UF 5% 100VDC RADIAL
详细描述：Film Capacitor 63V 100V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized Radial
型号：
SMR15105J100B06L16.5CBULK
仓库库存编号：
399-13031-ND
别名：399-13031
F211BL105(1)100(2)
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 33M OHM 1% 0.06W 0603
详细描述：±1% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603（1608 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB0603FDD33M0
仓库库存编号：
HVCB0603FDD33M0-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 0.5% 1/3W 1206
详细描述：±0.5% 0.333W，1/3W 厚膜 芯片电阻 1206（3216 公制） 高电压，脉冲耐受 厚膜
型号：
HVCB1206DDC10M0
仓库库存编号：
HVCB1206DDC10M0-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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