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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100K OHM 5% 0.06W 0603
详细描述:±5% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0603JKL100K
仓库库存编号:
HVCB0603JKL100K-ND
别名:HVCB 0603 T0 100K 5% I
HVCB0603T0100K5%I
HVCB0603T0100K5%I-ND
HVCB0603T0100KJI
HVCB0603T0100KJI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 47UF 20% 80V RADIAL
详细描述:铝电解电容器 径向,Can 150°C 时为 1000 小时
型号:
UBX1K470MPL
仓库库存编号:
493-14905-ND
别名:493-14905
UBX1K470MPL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 5% 1/3W 1206
详细描述:±5% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206JKD10M0
仓库库存编号:
HVCB1206JKD10M0-ND
别名:HVCB 1206 T1 10M 5% R
HVCB1206T110M5%R
HVCB1206T110M5%R-ND
HVCB1206T110MJI
HVCB1206T110MJI-ND
HVCB1206T110MJR
HVCB1206T110MJR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 5% 1/3W 1206
详细描述:±5% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206JKD1M00
仓库库存编号:
HVCB1206JKD1M00-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 120M OHM 5% 1/3W 1206
详细描述:±5% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206JTD120M
仓库库存编号:
HVCB1206JTD120M-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1M OHM 5% 1/3W 1206
详细描述:±5% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206JTC1M00
仓库库存编号:
HVCB1206JTC1M00-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 5M OHM 10% 1/3W 1206
详细描述:±10% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206KTC5M00
仓库库存编号:
HVCB1206KTC5M00-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 20M OHM 5% 0.06W 0603
详细描述:±5% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0603JTC20M0
仓库库存编号:
HVCB0603JTC20M0-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 0805 400M 5%
详细描述:±5% 0.2W,1/5W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0805JKL400M
仓库库存编号:
HVCB0805JKL400M-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Nichicon
CAP ALUM 220UF 20% 50V RADIAL
详细描述:铝电解电容器 径向,Can 150°C 时为 1000 小时
型号:
UBX1H221MPL
仓库库存编号:
493-14902-ND
别名:493-14902
UBX1H221MPL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1K OHM 1% 1/3W 1206
详细描述:±1% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206FKL1K00
仓库库存编号:
HVCB1206FKL1K00-ND
别名:HVCB 1206 TO 1K 1% I
HVCB1206T01KFI
HVCB1206T01KFI-ND
HVCB1206TO1K1%I
HVCB1206TO1K1%I-ND
HVCB1206TO1KFI
HVCB1206TO1KFI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 200M OHM 5% 0.06W 0603
详细描述:±5% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0603JTD200M
仓库库存编号:
HVCB0603JTD200M-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 300M OHM 5% 0.06W 0603
详细描述:±5% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0603JTD300M
仓库库存编号:
HVCB0603JTD300M-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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TDK Corporation
CAP CER 0.047UF 630V NP0 RAD
详细描述:0.047μF ±5% 630V 陶瓷电容器 C0G,NP0 径向
型号:
FA22NP02J473JNU06
仓库库存编号:
445-174953-1-ND
别名:445-174953-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 20M OHM 1% 0.06W 0603
详细描述:±1% 0.06W 厚膜 芯片电阻 0603(1608 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0603FTL20M0
仓库库存编号:
HVCB0603FTL20M0-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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TDK Corporation
CAP CER 0.068UF 450V NP0 RAD
详细描述:0.068μF ±5% 450V 陶瓷电容器 C0G,NP0 径向
型号:
FA22NP02W683JNU06
仓库库存编号:
445-174955-1-ND
别名:445-174955-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 220K OHM 5% 1/5W 0805
详细描述:±5% 0.2W,1/5W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0805JKC220K
仓库库存编号:
HVCB0805JKC220K-ND
别名:HVCB 0805 T2 220K 5% I
HVCB0805T2220K5%I
HVCB0805T2220K5%I-ND
HVCB0805T2220KJI
HVCB0805T2220KJI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1/5W 0805
详细描述:±1% 0.2W,1/5W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0805FKL10M0
仓库库存编号:
HVCB0805FKL10M0-ND
别名:HVCB 0805 T0 10M 1% I
HVCB0805T010M1%I
HVCB0805T010M1%I-ND
HVCB0805T010MFI
HVCB0805T010MFI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 3.32K OHM 1% 1/3W 1206
详细描述:±1% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206FKD3K32
仓库库存编号:
HVCB1206FKD3K32-ND
别名:HVCB 1206 T1 3.32K 1% I
HVCB1206T13.32K1%I
HVCB1206T13.32K1%I-ND
HVCB1206T13.32KFI
HVCB1206T13.32KFI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 1G OHM 5% 1/3W 1206
详细描述:±5% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206JTD1G00
仓库库存编号:
HVCB1206JTD1G00-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 100M OHM 1% 1/5W 0805
详细描述:±1% 0.2W,1/5W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0805FTD100M
仓库库存编号:
HVCB0805FTD100M-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 301K OHM 1% 1/3W 1206
详细描述:±1% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206FTD301K
仓库库存编号:
HVCB1206FTD301K-ND
别名:HVCB 1206 T1 301K 1% R
HVCB1206T1301K1%R
HVCB1206T1301K1%R-ND
HVCB1206T1301KFR
HVCB1206T1301KFR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 49.9K OHM 1% 1/3W 1206
详细描述:±1% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206FTD49K9
仓库库存编号:
HVCB1206FTD49K9-ND
别名:HVCB 1206 T1 49.9K 1% R
HVCB1206T149.9K1%R
HVCB1206T149.9K1%R-ND
HVCB1206T149.9KFR
HVCB1206T149.9KFR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
搜索
Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 220K OHM 5% 1/3W 1206
详细描述:±5% 0.333W,1/3W 厚膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB1206JKC220K
仓库库存编号:
HVCB1206JKC220K-ND
别名:HVCB 1206 T2 220K 5% I
HVCB1206T2220K5%I
HVCB1206T2220K5%I-ND
HVCB1206T2220KJI
HVCB1206T2220KJI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
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Stackpole Electronics Inc.
RES SMD 10M OHM 1% 1/5W 0805
详细描述:±1% 0.2W,1/5W 厚膜 芯片电阻 0805(2012 公制) 高电压,脉冲耐受 厚膜
型号:
HVCB0805FTC10M0
仓库库存编号:
HVCB0805FTC10M0-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C,
无铅
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