规格:噪声系数 -,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2942)
分立半导体产品
(2147)
射频/IF 和 RFID
(795)
筛选品牌
Aeroflex Metelics, Division of MACOM(51)
Ampleon USA Inc.(593)
Analog Devices Inc.(228)
Anaren(8)
Broadcom Limited(110)
CEL(35)
Central Semiconductor Corp(1)
Cree/Wolfspeed(43)
Fairchild/Micross Components(13)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
IDT, Integrated Device Technology Inc(2)
Infineon Technologies(249)
Intersil(1)
IXYS(31)
Kionix Inc.(1)
M/A-Com Technology Solutions(47)
Maxim Integrated(29)
Microchip Technology(62)
Microsemi Corporation(13)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(35)
Microwave Technology Inc.(4)
Nexperia USA Inc.(1)
NJR Corporation/NJRC(12)
NXP USA Inc.(1032)
ON Semiconductor(83)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Peregrine Semiconductor(6)
Silicon Labs(2)
Skyworks Solutions Inc.(48)
STMicroelectronics(179)
Texas Instruments(6)
Toshiba Semiconductor and Storage(14)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2 GULL
型号:
MW6S010GMR1
仓库库存编号:
MW6S010GMR1-ND
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2
型号:
MW6S010MR1
仓库库存编号:
MW6S010MR1-ND
规格:噪声系数 -,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
IC PWR AMP RF 30W TO272-16GW
详细描述:RF Amplifier IC Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA 900MHz TO-272 WB-16 GULL
型号:
MWIC930GR1
仓库库存编号:
MWIC930GR1-ND
规格:噪声系数 -,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16
详细描述:RF Amplifier IC Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA 900MHz TO-272 WB-16
型号:
MWIC930R1
仓库库存编号:
MWIC930R1-ND
规格:噪声系数 -,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET RF N-CH 28V 30W TO-272-16
详细描述:RF Amplifier IC Cellular, GSM, EDGE, N-CDMA 900MHz TO-272 WB-16
型号:
MWIC930R5
仓库库存编号:
MWIC930R5-ND
规格:噪声系数 -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 960MHz 16dB 10W PG-RFP-10
型号:
PTF080101M V1
仓库库存编号:
PTF080101M V1-ND
别名:PTF080101MV1XT
SP000082763
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF 65V 960MHZ H-32259-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 150mA 960MHz 18.5dB 10W H-32259-2
型号:
PTF080101S V1
仓库库存编号:
PTF080101S V1-ND
别名:F080101SV1XT
PTF080101SV1XT
SP000018181
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 16.5dB 10W PG-RFP-10
型号:
PTF180101M V1
仓库库存编号:
PTF180101M V1-ND
别名:PTF180101MV1XT
SP000076951
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 19dB 10W H-32259-2
型号:
PTF180101S V1
仓库库存编号:
PTF180101S V1-ND
别名:F180101SV1XT
PTF180101SV1XT
SP000009989
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 2.17GHz 15dB 10W PG-RFP-10
型号:
PTF210101M V1
仓库库存编号:
PTF210101M V1-ND
别名:PTF210101MV1XT
SP000076952
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 2.68GHz 16dB 10W H-32259-2
型号:
PTF240101S V1
仓库库存编号:
PTF240101S V1-ND
别名:F240101SV1XT
PTF240101SV1XT
SP000082764
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 450mA 2.48GHz 14dB 45W H-30265-2
型号:
PTFA240451E V1
仓库库存编号:
PTFA240451E V1-ND
别名:FA240451EV1XP
PTFA240451EV1X
SP000063673
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 2.42GHz 14dB 130W H-30260-2
型号:
PTFA241301E V1
仓库库存编号:
PTFA241301E V1-ND
别名:FA241301EV1XP
PTFA241301EV1X
SP000082766
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.68GHz 15dB 45W H-30265-2
型号:
PTFA260451E V1
仓库库存编号:
PTFA260451E V1-ND
别名:FA260451EV1XP
PTFA260451EV1X
SP000063672
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.68GHz 13.5dB 130W H-30260-2
型号:
PTFA261301E V1
仓库库存编号:
PTFA261301E V1-ND
别名:FA261301EV1XP
PTFA261301EV1X
SP000086852
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC AMP IF 5V GAIN CTRL TSSOP-16
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 30MHz ~ 65MHz 16-TSSOP
型号:
TDA6192TDRYPACKFUMA1
仓库库存编号:
TDA6192TDRYPACKFUMA1TR-ND
别名:SP000013410
TDA 6192 T DRYPACK
TDA 6192 T DRYPACK-ND
TDA6192TDRYPACKXT
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC AMP IF 5V GAIN CTRL VQFN-20
详细描述:RF Amplifier IC General Purpose 30MHz ~ 65MHz 20-VQFN (3.5x3.5)
型号:
TDA 6192V
仓库库存编号:
TDA 6192V-ND
别名:SP000017968
TDA6192VXT
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF TO-270-2 GW
详细描述:RF Mosfet LDMOS TO-270-2 GULL
型号:
MRF9030GNR1
仓库库存编号:
MRF9030GNR1-ND
规格:噪声系数 -,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 16dB 50W NI-880S
型号:
MRF7S21170HSR5
仓库库存编号:
MRF7S21170HSR5-ND
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 880MHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 1.1A 880MHz 17.8dB 25W NI-780
型号:
MRF9135LR5
仓库库存编号:
MRF9135LR5-ND
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 880MHZ 860C3
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 1.9A 880MHz 16.5dB 40W NI-860C3
型号:
MRF9210R5
仓库库存编号:
MRF9210R5-ND
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 880MHZ 860C3
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 1.9A 880MHz 16.5dB 40W NI-860C3
型号:
MRF9210R3
仓库库存编号:
MRF9210R3-ND
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 880MHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 1.4A 880MHz 17.5dB 170W NI-1230
型号:
MRF9180R6
仓库库存编号:
MRF9180R6-ND
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 880MHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 1.4A 880MHz 17.5dB 170W NI-1230
型号:
MRF9180R5
仓库库存编号:
MRF9180R5-ND
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 880MHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 26V 1.1A 880MHz 17.8dB 25W NI-780S
型号:
MRF9135LSR5
仓库库存编号:
MRF9135LSR5-ND
规格:噪声系数 -,
无铅
搜索
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号