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NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-880
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21dB 58W NI-880
型号：
MRFE6S9200HR3
仓库库存编号：
MRFE6S9200HR3-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-880
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21dB 58W NI-880
型号：
MRFE6S9200HR5
仓库库存编号：
MRFE6S9200HR5-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-880S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21dB 58W NI-880S
型号：
MRFE6S9200HSR3
仓库库存编号：
MRFE6S9200HSR3-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-880S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21dB 58W NI-880S
型号：
MRFE6S9200HSR5
仓库库存编号：
MRFE6S9200HSR5-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-780
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 20.8dB 40W NI-780
型号：
MRFE6S9201HR3
仓库库存编号：
MRFE6S9201HR3-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-780
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 20.8dB 40W NI-780
型号：
MRFE6S9201HR5
仓库库存编号：
MRFE6S9201HR5-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 20.8dB 40W NI-780S
型号：
MRFE6S9201HSR3
仓库库存编号：
MRFE6S9201HSR3-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-780S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 20.8dB 40W NI-780S
型号：
MRFE6S9201HSR5
仓库库存编号：
MRFE6S9201HSR5-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-880
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21.2dB 58W NI-880
型号：
MRFE6S9205HR3
仓库库存编号：
MRFE6S9205HR3-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-880
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21.2dB 58W NI-880
型号：
MRFE6S9205HR5
仓库库存编号：
MRFE6S9205HR5-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-880S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21.2dB 58W NI-880S
型号：
MRFE6S9205HSR3
仓库库存编号：
MRFE6S9205HSR3-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ NI-880S
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 880MHz 21.2dB 58W NI-880S
型号：
MRFE6S9205HSR5
仓库库存编号：
MRFE6S9205HSR5-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 6V 65mA 3.55GHz 10dB 158mW PLD-1.5
型号：
MRFG35002N6AT1
仓库库存编号：
MRFG35002N6AT1-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 55mA 3.55GHz 10.8dB 3W PLD-1.5
型号：
MRFG35003ANR5
仓库库存编号：
MRFG35003ANR5-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 55mA 3.55GHz 10.8dB 3W PLD-1.5
型号：
MRFG35003ANT1
仓库库存编号：
MRFG35003ANT1-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5
详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 80mA 3.55GHz 11dB 4.5W PLD-1.5
型号：
MRFG35005ANT1
仓库库存编号：
MRFG35005ANT1-ND
别名：935313745515
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.5GHZ NI-360
详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 300mA 3.5GHz 11.5dB 2W NI-360
型号：
MRFG35020AR1
仓库库存编号：
MRFG35020AR1-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 15V 3.5GHZ NI-360
详细描述：RF Mosfet pHEMT FET 12V 300mA 3.5GHz 11.5dB 20W NI-360
型号：
MRFG35020AR5
仓库库存编号：
MRFG35020AR5-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
IC PWR AMP RF LDMOS TO270-14
详细描述：RF Amplifier IC GSM, EDGE 1.805GHz ~ 2.05GHz TO-270 WB-14 GULL
型号：
MW7IC18100GNR1
仓库库存编号：
MW7IC18100GNR1-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
IC PWR AMP RF LDMOS TO270-14
详细描述：RF Amplifier IC GSM, EDGE 1.805GHz ~ 2.05GHz TO-270 WB-14
型号：
MW7IC18100NR1
仓库库存编号：
MW7IC18100NR1-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
IC PWR AMP RF LDMOS TO270-14
详细描述：RF Amplifier IC GSM, EDGE 960MHz TO-270 WB-14 GULL
型号：
MWE6IC9100GNR1
仓库库存编号：
MWE6IC9100GNR1-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
IC PWR AMP RF LDMOS TO270-14
详细描述：RF Amplifier IC GSM, EDGE 960MHz TO-270 WB-14
型号：
MWE6IC9100NR1
仓库库存编号：
MWE6IC9100NR1-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
IC BASESTATION FINAL SOT502A
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 2A 1.8GHz 16.5dB 50W LDMOST
型号：
BLF6G20-230P
仓库库存编号：
BLF6G20-230P-ND
别名：Q3815228
规格：噪声系数 -,
无铅
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NXP USA Inc.
IC IF AMP/DEMOD 20-SOIC
详细描述：RF Demodulator IC 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
型号：
TDA1599T/V3,518
仓库库存编号：
TDA1599T/V3,518-ND
别名：935026550518
TDA1599T/V3-T
TDA1599T/V3-T-ND
规格：噪声系数 -,
无铅
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Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 45W H-30265
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 550mA 1.5GHz 18dB 45W H-30265-2
型号：
PTF140451E V1
仓库库存编号：
PTF140451E V1-ND
别名：SP000102183
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